高电阻率绝缘体上半导体衬底及其制造方法和半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610412569.8

申请日：

2016-06-14

公开(公告)号：

CN106257641B

公开(公告)日：

2016-12-28

发明(设计)人：

比什-因·阮弗雷德里克·阿利伯特克里斯托夫·马勒维尔

申请人：

申请人地址：

法国伯尔宁

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

H01L2712

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

吕俊刚

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-12-28	公开	公开
2017-01-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101699358834 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:2016104125698 申请日:20160614

共 50 条

[1]

绝缘体上半导体衬底及其制造方法 [P].

薛广杰 .

中国专利 :CN115188704B ,2024-11-12

[2]

绝缘体上半导体器件及其制造方法 [P].

胡金节 .

中国专利 :CN111146278B ,2020-05-12

[3]

绝缘体上半导体衬底、半导体结构及其形成方法 [P].

吴政达 ;

陈秋桦 .

中国专利 :CN113206108A ,2021-08-03

[4]

绝缘体上半导体衬底、半导体结构及其形成方法 [P].

吴政达 ;

陈秋桦 .

中国专利 :CN113206108B ,2025-01-10

[5]

绝缘体上半导体衬底和器件及其形成方法 [P].

托马斯·W.·迪耶尔 ;

骆志炯 ;

杨海宁 .

中国专利 :CN101038936B ,2007-09-19

[6]

绝缘体上半导体元器件及其制造方法 [P].

陈晓亮 ;

于绍欣 ;

陈天 ;

钱忠健 ;

金兴成 .

中国专利 :CN111009469A ,2020-04-14

[7]

混合绝缘体上半导体衬底、集成电路器件及其制造方法 [P].

徐鸿文 ;

张鸿章 ;

卢玠甫 .

中国专利 :CN119108413A ,2024-12-10

[8]

制造应变绝缘体上半导体衬底的方法 [P].

沃尔特·施瓦岑贝格 ;

G·夏巴纳 ;

尼古拉斯·达瓦尔 .

中国专利 :CN109155278A ,2019-01-04

[9]

用于制造绝缘体上半导体衬底的方法 [P].

M·波卡特 ;

阿诺德·卡斯泰 .

中国专利 :CN113597668A ,2021-11-02

[10]

制造应变绝缘体上半导体衬底的方法 [P].

沃尔特·施瓦岑贝格 ;

G·夏巴纳 ;

尼古拉斯·达瓦尔 .

中国专利 :CN109155277A ,2019-01-04

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