绝缘体上半导体元器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811167216.1

申请日：

2018-10-08

公开(公告)号：

CN111009469A

公开(公告)日：

2020-04-14

发明(设计)人：

陈晓亮于绍欣陈天钱忠健金兴成

申请人：

申请人地址：

214135 江苏省无锡市太湖国际科技园菱湖大道180号-6

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

邓云鹏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-04-14	公开	公开
2020-05-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20181008

共 50 条

[1]

绝缘体上半导体器件及其制造方法 [P].

胡金节 .

中国专利 :CN111146278B ,2020-05-12

[2]

绝缘体上半导体衬底及其制造方法 [P].

薛广杰 .

中国专利 :CN115188704B ,2024-11-12

[3]

绝缘体上半导体(SOI)结构及其制造方法 [P].

A·I·舒 ;

J·W·斯雷特 ;

W·亨施 ;

古川俊治 ;

任志斌 ;

D·V·辛格 .

中国专利 :CN101106141A ,2008-01-16

[4]

绝缘体上半导体结构及其制造方法 [P].

安德鲁·约翰·布劳利 .

中国专利 :CN103946969A ,2014-07-23

[5]

绝缘体上半导体结构及其制造方法 [P].

钟汇才 ;

赵超 ;

梁擎擎 .

中国专利 :CN103367392A ,2013-10-23

[6]

制造绝缘体上半导体的方法 [P].

S·G·托马斯 ;

G·王 .

中国专利 :CN107667416A ,2018-02-06

[7]

混合绝缘体上半导体衬底、集成电路器件及其制造方法 [P].

徐鸿文 ;

张鸿章 ;

卢玠甫 .

中国专利 :CN119108413A ,2024-12-10

[8]

绝缘体上半导体及其制备方法 [P].

陈猛 ;

叶斐 ;

张晨膑 .

中国专利 :CN121240528A ,2025-12-30

[9]

制造应变绝缘体上半导体衬底的方法 [P].

沃尔特·施瓦岑贝格 ;

G·夏巴纳 ;

尼古拉斯·达瓦尔 .

中国专利 :CN109155278A ,2019-01-04

[10]

高电阻率绝缘体上半导体衬底及其制造方法和半导体器件 [P].

比什-因·阮 ;

弗雷德里克·阿利伯特 ;

克里斯托夫·马勒维尔 .

中国专利 :CN106257641B ,2016-12-28

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