绝缘体上半导体结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280054537.5

申请日：

2012-11-02

公开(公告)号：

CN103946969A

公开(公告)日：

2014-07-23

发明(设计)人：

安德鲁·约翰·布劳利

申请人：

申请人地址：

澳大利亚昆士兰州

IPC主分类号：

H01L2176

IPC分类号：

H01L2120

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

余刚;张英

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-07-23	公开	公开
2014-09-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101587028126 IPC(主分类):H01L 21/76 专利申请号:2012800545375 申请日:20121102
2017-03-29	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101749140580 IPC(主分类):H01L 21/76 专利申请号:2012800545375 申请公布日:20140723

共 50 条

[1]

绝缘体上半导体结构及其制造方法 [P].

钟汇才 ;

赵超 ;

梁擎擎 .

中国专利 :CN103367392A ,2013-10-23

[2]

制造绝缘体上半导体结构的方法 [P].

奥列格·科农丘克 .

中国专利 :CN101548369B ,2009-09-30

[3]

绝缘体上半导体(SOI)结构及其制造方法 [P].

A·I·舒 ;

J·W·斯雷特 ;

W·亨施 ;

古川俊治 ;

任志斌 ;

D·V·辛格 .

中国专利 :CN101106141A ,2008-01-16

[4]

应变绝缘体上半导体结构以及应变绝缘体上半导体结构的制造方法 [P].

K·P·加德卡尔 ;

M·J·德杰纳卡 ;

L·R·平克尼 ;

B·G·艾特肯 .

中国专利 :CN101044620A ,2007-09-26

[5]

绝缘体上半导体结构的制造方法 [P].

黄河 ;

丁敬秀 ;

向阳辉 .

中国专利 :CN113889431A ,2022-01-04

[6]

绝缘体上半导体结构的制造方法 [P].

黄河 ;

丁敬秀 ;

向阳辉 .

中国专利 :CN113889432B ,2025-11-21

[7]

绝缘体上半导体结构的制造方法 [P].

H·F·埃尔克 ;

S·奎斯金 ;

J·L·利贝特 ;

M·布勒萨拉 .

中国专利 :CN111033719A ,2020-04-17

[8]

绝缘体上半导体结构的制造方法 [P].

黄河 ;

丁敬秀 ;

向阳辉 .

中国专利 :CN113889432A ,2022-01-04

[9]

制造绝缘体上半导体的方法 [P].

S·G·托马斯 ;

G·王 .

中国专利 :CN107667416A ,2018-02-06

[10]

形成绝缘体上半导体结构的方法 [P].

M·A·斯托克 .

中国专利 :CN101479651A ,2009-07-08

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