绝缘体上半导体结构的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010627027.9

申请日：

2020-07-01

公开(公告)号：

CN113889431A

公开(公告)日：

2022-01-04

发明(设计)人：

黄河丁敬秀向阳辉

申请人：

申请人地址：

201210 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区蔡伦路85弄95号1幢3楼C区309

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

H01L2102 H01L21263 H01L21265 H01L21306 H01L213065 H01L21304

代理机构：

上海思捷知识产权代理有限公司 31295

代理人：

王宏婧

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-04	公开	公开
2022-01-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20200701

共 50 条

[1]

绝缘体上半导体结构的制造方法 [P].

黄河 ;

丁敬秀 ;

向阳辉 .

中国专利 :CN113889432B ,2025-11-21

[2]

绝缘体上半导体结构的制造方法 [P].

黄河 ;

丁敬秀 ;

向阳辉 .

中国专利 :CN113889432A ,2022-01-04

[3]

应变绝缘体上半导体结构以及应变绝缘体上半导体结构的制造方法 [P].

K·P·加德卡尔 ;

M·J·德杰纳卡 ;

L·R·平克尼 ;

B·G·艾特肯 .

中国专利 :CN101044620A ,2007-09-26

[4]

制造绝缘体上半导体结构的方法 [P].

奥列格·科农丘克 .

中国专利 :CN101548369B ,2009-09-30

[5]

绝缘体上半导体结构的制造方法 [P].

H·F·埃尔克 ;

S·奎斯金 ;

J·L·利贝特 ;

M·布勒萨拉 .

中国专利 :CN111033719A ,2020-04-17

[6]

制造绝缘体上半导体的方法 [P].

S·G·托马斯 ;

G·王 .

中国专利 :CN107667416A ,2018-02-06

[7]

绝缘体上半导体(SOI)结构及其制造方法 [P].

A·I·舒 ;

J·W·斯雷特 ;

W·亨施 ;

古川俊治 ;

任志斌 ;

D·V·辛格 .

中国专利 :CN101106141A ,2008-01-16

[8]

绝缘体上半导体结构及其制造方法 [P].

安德鲁·约翰·布劳利 .

中国专利 :CN103946969A ,2014-07-23

[9]

用于制造绝缘体上半导体多层结构的方法 [P].

I·贝特朗 ;

R·布韦龙 ;

A·古尔贝伊 .

中国专利 :CN118743012A ,2024-10-01

[10]

用于制造双绝缘体上半导体结构的方法 [P].

卡里纳·杜雷特 ;

卢多维克·埃卡尔诺 ;

C·波特 .

法国专利 :CN118633150A ,2024-09-10

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