制造绝缘体上半导体的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201680031797.9

申请日：

2016-05-23

公开(公告)号：

CN107667416A

公开(公告)日：

2018-02-06

发明(设计)人：

S·G·托马斯 G·王

申请人：

申请人地址：

新加坡新加坡市

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L21306 H01L213065 H01L21762

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

贺月娇;杨晓光

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-10-22	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/02 登记生效日:20190926 变更事项:申请人变更前权利人:太阳能爱迪生半导体有限公司变更后权利人:环球晶圆股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:新加坡新加坡市变更后权利人:中国台湾新竹市科学园区工业东二路8号
2018-02-06	公开	公开
2018-03-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20160523
2021-08-31	授权	授权

共 50 条

[1]

绝缘体上半导体结构的制造方法 [P].

黄河 ;

丁敬秀 ;

向阳辉 .

中国专利 :CN113889431A ,2022-01-04

[2]

制造绝缘体上半导体结构的方法 [P].

奥列格·科农丘克 .

中国专利 :CN101548369B ,2009-09-30

[3]

绝缘体上半导体结构的制造方法 [P].

黄河 ;

丁敬秀 ;

向阳辉 .

中国专利 :CN113889432B ,2025-11-21

[4]

应变绝缘体上半导体结构以及应变绝缘体上半导体结构的制造方法 [P].

K·P·加德卡尔 ;

M·J·德杰纳卡 ;

L·R·平克尼 ;

B·G·艾特肯 .

中国专利 :CN101044620A ,2007-09-26

[5]

绝缘体上半导体结构的制造方法 [P].

H·F·埃尔克 ;

S·奎斯金 ;

J·L·利贝特 ;

M·布勒萨拉 .

中国专利 :CN111033719A ,2020-04-17

[6]

绝缘体上半导体结构的制造方法 [P].

黄河 ;

丁敬秀 ;

向阳辉 .

中国专利 :CN113889432A ,2022-01-04

[7]

绝缘体上半导体结构及其制造方法 [P].

安德鲁·约翰·布劳利 .

中国专利 :CN103946969A ,2014-07-23

[8]

绝缘体上半导体结构及其制造方法 [P].

钟汇才 ;

赵超 ;

梁擎擎 .

中国专利 :CN103367392A ,2013-10-23

[9]

用于制造绝缘体上半导体衬底的方法 [P].

M·波卡特 ;

阿诺德·卡斯泰 .

中国专利 :CN113597668A ,2021-11-02

[10]

用于制造绝缘体上半导体衬底的方法 [P].

M·波卡特 ;

阿诺德·卡斯泰 .

法国专利 :CN113597668B ,2024-09-13

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