形成绝缘体上半导体结构的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200780022389.8

申请日：

2007-05-09

公开(公告)号：

CN101479651A

公开(公告)日：

2009-07-08

发明(设计)人：

M·A·斯托克

申请人：

申请人地址：

美国纽约州

IPC主分类号：

G02F11333

IPC分类号：

H01L21762

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

刘佳

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-02-03	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2009-07-08	公开	公开

共 50 条

[1]

应变绝缘体上半导体结构以及应变绝缘体上半导体结构的制造方法 [P].

K·P·加德卡尔 ;

M·J·德杰纳卡 ;

L·R·平克尼 ;

B·G·艾特肯 .

中国专利 :CN101044620A ,2007-09-26

[2]

具有腔结构的绝缘体上半导体晶片 [P].

A·K·斯塔珀 ;

S·P·埃杜苏米利 ;

B·W·波思 ;

J·J·埃利斯-莫纳甘 .

美国专利 :CN114256273B ,2025-09-19

[3]

具有腔结构的绝缘体上半导体晶片 [P].

A·K·斯塔珀 ;

S·P·埃杜苏米利 ;

B·W·波思 ;

J·J·埃利斯-莫纳甘 .

中国专利 :CN114256273A ,2022-03-29

[4]

绝缘体上半导体结构及其制造方法 [P].

安德鲁·约翰·布劳利 .

中国专利 :CN103946969A ,2014-07-23

[5]

绝缘体上半导体衬底、半导体结构及其形成方法 [P].

吴政达 ;

陈秋桦 .

中国专利 :CN113206108A ,2021-08-03

[6]

绝缘体上半导体衬底、半导体结构及其形成方法 [P].

吴政达 ;

陈秋桦 .

中国专利 :CN113206108B ,2025-01-10

[7]

绝缘体上半导体结构的制造方法 [P].

黄河 ;

丁敬秀 ;

向阳辉 .

中国专利 :CN113889431A ,2022-01-04

[8]

制造绝缘体上半导体结构的方法 [P].

奥列格·科农丘克 .

中国专利 :CN101548369B ,2009-09-30

[9]

绝缘体上半导体结构的制造方法 [P].

黄河 ;

丁敬秀 ;

向阳辉 .

中国专利 :CN113889432B ,2025-11-21

[10]

绝缘体上半导体结构的制造方法 [P].

H·F·埃尔克 ;

S·奎斯金 ;

J·L·利贝特 ;

M·布勒萨拉 .

中国专利 :CN111033719A ,2020-04-17

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