硅绝缘体结构半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01117888.4

申请日：

2001-04-04

公开(公告)号：

CN1190854C

公开(公告)日：

2001-10-10

发明(设计)人：

A·O·阿丹

申请人：

申请人地址：

日本大阪市

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2712

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

陈霁;梁永

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-02-23	授权	授权
2001-09-05	实质审查的生效	实质审查的生效
2001-10-10	公开	公开
2010-08-04	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101004441176 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL011178884 申请日:20010404 授权公告日:20050223

共 50 条

[1]

稳定绝缘体基半导体器件的方法及绝缘体基半导体器件 [P].

新美宪一 ;

A·O·阿丹 .

中国专利 :CN1154191C ,2000-12-06

[2]

“绝缘体上的硅”结构的半导体装置 [P].

A·O·阿丹 .

中国专利 :CN1155102C ,2000-06-14

[3]

体约束的绝缘体上硅半导体器件及其制造方法 [P].

拜扬·W·民 ;

迈克尔·A·门迪奇诺 ;

莱格·康 .

中国专利 :CN101147262A ,2008-03-19

[4]

绝缘体上硅结构以及半导体器件结构 [P].

李乐 .

中国专利 :CN102945851A ,2013-02-27

[5]

具有绝缘体上硅结构的半导体器件及其制造方法 [P].

小林研也 .

中国专利 :CN1207768C ,2002-05-01

[6]

在绝缘体半导体器件上的半导体及其制造方法 [P].

R·叙尔迪努 ;

G·多恩波斯 ;

Y·波诺马雷夫 ;

J·罗 .

中国专利 :CN1969391A ,2007-05-23

[7]

耐高压的绝缘体上的硅型半导体器件 [P].

上本康裕 ;

山下胜重 ;

三浦孝 .

中国专利 :CN1288264A ,2001-03-21

[8]

耐高压的绝缘体上的硅型半导体器件 [P].

上本康裕 ;

山下胜重 ;

三浦孝 .

中国专利 :CN1638146A ,2005-07-13

[9]

制造绝缘体上硅衬底和半导体器件的方法 [P].

神保安弘 ;

小路博信 ;

大沼英人 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN101663733A ,2010-03-03

[10]

绝缘体上硅结构及其制造方法、半导体器件 [P].

李乐 .

中国专利 :CN102315154A ,2012-01-11

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