绝缘体上硅结构以及半导体器件结构

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201210507579.1
申请日
2012-11-30
公开(公告)号
CN102945851A
公开(公告)日
2013-02-27
发明(设计)人
李乐
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号
IPC主分类号
H01L2712
IPC分类号
H01L2978
代理机构
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人
郑玮
法律状态
公开
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
绝缘体上硅结构及其制造方法、半导体器件 [P]. 
李乐 .
中国专利 :CN102315154A ,2012-01-11
[2]
硅绝缘体结构半导体器件 [P]. 
A·O·阿丹 .
中国专利 :CN1190854C ,2001-10-10
[3]
绝缘体上硅半导体结构及其制造方法 [P]. 
张龙 ;
何乃龙 ;
李浩宇 ;
吴佳怡 ;
盘成务 ;
张森 ;
刘斯扬 ;
孙伟锋 .
中国专利 :CN120882054A ,2025-10-31
[4]
制造绝缘体上的硅结构的半导体器件的方法 [P]. 
李泰福 .
中国专利 :CN1095860A ,1994-11-30
[5]
绝缘体上硅射频开关器件结构 [P]. 
刘张李 .
中国专利 :CN104752429B ,2015-07-01
[6]
绝缘体上硅射频开关器件结构 [P]. 
刘张李 .
中国专利 :CN105047720B ,2015-11-11
[7]
绝缘体上硅射频开关器件结构 [P]. 
刘张李 .
中国专利 :CN104810406A ,2015-07-29
[8]
绝缘体上硅射频开关器件结构 [P]. 
刘张李 .
中国专利 :CN104766889B ,2015-07-08
[9]
绝缘体上硅射频开关器件结构 [P]. 
刘张李 .
中国专利 :CN105161500B ,2015-12-16
[10]
绝缘体上硅高压器件结构 [P]. 
T·J·莱塔维 ;
M·R·辛普森 .
中国专利 :CN1561548B ,2005-01-05