绝缘体上硅高压器件结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02819318.0

申请日：

2002-09-11

公开(公告)号：

CN1561548B

公开(公告)日：

2005-01-05

发明(设计)人：

T·J·莱塔维 M·R·辛普森

申请人：

申请人地址：

荷兰艾恩德霍芬

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L2941 H01L2908 H01L2906 H01L2978 H01L2712

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

陈源;张天舒

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-01-05	公开	公开
2007-10-03	专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移	专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更事项:申请人变更前权利人:皇家飞利浦电子股份有限公司变更后权利人:NXP股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:荷兰艾恩德霍芬变更后权利人:荷兰艾恩德霍芬登记生效日:20070831
2005-03-09	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-01-19	授权	授权
2016-11-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101687165070 IPC(主分类):H01L 29/786 专利号:ZL028193180 申请日:20020911 授权公告日:20110119 终止日期:20150911

共 50 条

[1]

绝缘体上硅器件 [P].

李乐 .

中国专利 :CN102339836B ,2012-02-01

[2]

绝缘体上硅器件 [P].

T·莱塔维克 ;

J·彼得鲁泽洛 .

中国专利 :CN1802753A ,2006-07-12

[3]

一种绝缘体上硅器件及绝缘体上硅器件制备方法 [P].

请求不公布姓名 ;

陈高鹏 ;

张标 .

中国专利 :CN119342894A ,2025-01-21

[4]

绝缘体上硅射频器件及其绝缘体上硅衬底 [P].

李乐 .

中国专利 :CN103035654B ,2013-04-10

[5]

绝缘体上硅射频器件及绝缘体上硅衬底 [P].

李乐 ;

许丹 .

中国专利 :CN103022054A ,2013-04-03

[6]

绝缘体上硅结构以及半导体器件结构 [P].

李乐 .

中国专利 :CN102945851A ,2013-02-27

[7]

绝缘体上硅射频开关器件结构 [P].

刘张李 .

中国专利 :CN104752429B ,2015-07-01

[8]

绝缘体上硅射频开关器件结构 [P].

刘张李 ;

孔蔚然 .

中国专利 :CN104485361A ,2015-04-01

[9]

绝缘体上硅射频开关器件结构 [P].

刘张李 .

中国专利 :CN105047720B ,2015-11-11

[10]

绝缘体上硅射频开关器件结构 [P].

刘张李 .

中国专利 :CN104810406A ,2015-07-29

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