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耐高压的绝缘体上的硅型半导体器件
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN00131700.8
申请日：
2000-08-30
公开(公告)号：
CN1288264A
公开(公告)日：
2001-03-21
发明(设计)人：
上本康裕
山下胜重
三浦孝
申请人：
申请人地址：
日本大阪府
IPC主分类号：
H01L2712
IPC分类号：
代理机构：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人：
叶恺东
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2001-03-21 | 公开 | 公开 |
| 2011-11-23 | 专利权的终止 | 未缴年费专利权终止 号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101138511834 IPC(主分类):H01L 27/12 专利号:ZL001317008 申请日:20000830 授权公告日:20060823 终止日期:20100830 |
| 2001-11-28 | 专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移 | 专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移 变更事项:申请人 变更前:松下电子工业株式会社 变更后:松下电器产业株式会社 登记生效日:20010824 |
| 2006-08-23 | 授权 | 授权 |
| 2002-05-01 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 |