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部分耗尽绝缘体上硅半导体器件及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411317164.7
申请日：
2024-09-20
公开(公告)号：
CN119364802A
公开(公告)日：
2025-01-24
发明(设计)人：
何正临
郭振强
申请人：
华虹半导体（无锡）有限公司
申请人地址：
214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号
IPC主分类号：
H10D30/60
IPC分类号：
H10D62/10
H10D30/01
代理机构：
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人：
赵薇
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
江苏省
无锡市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-02-18 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/60申请日:20240920 |
| 2025-01-24 | 公开 | 公开 |