配线结构的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410006520.X

申请日：

2004-03-04

公开(公告)号：

CN1527376A

公开(公告)日：

2004-09-08

发明(设计)人：

宍田佳谦渡边裕之

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司

代理人：

龙淳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-09-08	公开	公开
2006-11-08	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回

共 50 条

[1]

配线结构的形成方法 [P].

酒井久弥 ;

清水纪嘉 .

中国专利 :CN100592476C ,2006-11-08

[2]

多层配线结构的形成方法 [P].

山本保 ;

绵谷宏文 ;

北田秀树 ;

堀内博志 ;

宫岛基守 .

中国专利 :CN101271861B ,2008-09-24

[3]

多层配线结构及其形成方法 [P].

青井信雄 .

中国专利 :CN101080813A ,2007-11-28

[4]

金属配线的形成方法 [P].

日恵野敦 ;

中西务 ;

田中裕介 ;

吉水康人 ;

八甫谷明彦 .

中国专利 :CN109524317B ,2019-03-26

[5]

包含配线的结构体及其形成方法 [P].

池田雅延 ;

铃木贵志 .

中国专利 :CN1495892A ,2004-05-12

[6]

多层配线的形成方法及其检查方法 [P].

森田伦生 .

中国专利 :CN1476077A ,2004-02-18

[7]

多层配线的形成方法和存储介质 [P].

田中崇 ;

岩下光秋 .

中国专利 :CN111630654A ,2020-09-04

[8]

配线形成用部件、使用了配线形成用部件的配线层的形成方法及配线形成部件 [P].

大越将司 ;

伊藤由佳 ;

高木俊辅 ;

赤井邦彦 ;

高野希 ;

伊泽弘行 ;

藤本大辅 ;

小竹智彦 .

日本专利 :CN118696608A ,2024-09-24

[9]

蚀刻液、补给液及铜配线的形成方法 [P].

小寺浩史 .

中国专利 :CN104769159B ,2015-07-08

[10]

蚀刻液、补给液及铜配线的形成方法 [P].

浜口仁美 ;

仁顷丈二郎 .

中国专利 :CN113179590A ,2021-07-27

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