多层配线结构的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810091384.7

申请日：

2002-12-26

公开(公告)号：

CN101271861B

公开(公告)日：

2008-09-24

发明(设计)人：

山本保绵谷宏文北田秀树堀内博志宫岛基守

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县横浜市

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司 72003

代理人：

张龙哺

法律状态：

专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-12-03	专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)	专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移) 变更事项:申请人变更前权利人:富士通株式会社变更后权利人:富士通微电子株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本神奈川县川崎市变更后权利人:日本东京都登记生效日:20081107
2008-09-24	公开	公开
2011-01-26	授权	授权
2008-11-19	实质审查的生效	实质审查的生效
2021-12-03	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20021226 授权公告日:20110126 终止日期:20201226

共 50 条

[1]

多层配线结构及其形成方法 [P].

青井信雄 .

中国专利 :CN101080813A ,2007-11-28

[2]

多层配线的形成方法及其检查方法 [P].

森田伦生 .

中国专利 :CN1476077A ,2004-02-18

[3]

配线结构的形成方法 [P].

酒井久弥 ;

清水纪嘉 .

中国专利 :CN100592476C ,2006-11-08

[4]

配线结构的形成方法 [P].

宍田佳谦 ;

渡边裕之 .

中国专利 :CN1527376A ,2004-09-08

[5]

具有多层配线结构的半导体装置及其制造方法 [P].

山本保 ;

绵谷宏文 ;

北田秀树 ;

堀内博志 ;

宫岛基守 .

中国专利 :CN1650408A ,2005-08-03

[6]

多层配线的形成方法和存储介质 [P].

田中崇 ;

岩下光秋 .

中国专利 :CN111630654A ,2020-09-04

[7]

多层配线结构体及其制造方法 [P].

桑岛一 ;

西川朋永 ;

大塚隆史 ;

大桥武 ;

奥山祐一郎 ;

山谷学 .

中国专利 :CN110349927B ,2019-10-18

[8]

多层金属布线的形成方法 [P].

矢野航作 ;

杉山龙男 ;

上田聪 ;

野村登 .

中国专利 :CN1118520A ,1996-03-13

[9]

显示装置用基板、其制造方法、显示装置、多层配线的形成方法以及多层配线基板 [P].

森胁弘幸 .

中国专利 :CN101971235B ,2011-02-09

[10]

布线结构的形成方法 [P].

吉田英朗 ;

上田哲也 ;

滨中雅司 ;

原田刚史 .

中国专利 :CN1220258C ,2003-07-09

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