一种高锰合金薄膜Mn53Ni23Ga24的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510447634.6

申请日：

2015-07-27

公开(公告)号：

CN104947053A

公开(公告)日：

2015-09-30

发明(设计)人：

董桂馥

申请人：

申请人地址：

116622 辽宁省大连市经济技术开发区学府大街10号

IPC主分类号：

C23C1434

IPC分类号：

C23C1414 C23C1458

代理机构：

大连智高专利事务所(特殊普通合伙) 21235

代理人：

胡景波

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-11-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101631735099 IPC(主分类):C23C 14/34 专利申请号:2015104476346 申请日:20150727
2018-07-13	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C23C 14/34 申请公布日:20150930

共 50 条

[1]

一种激光脉冲溅射沉积制备Ni52Mn24Ga24合金薄膜的方法 [P].

董桂馥 .

中国专利 :CN104947052A ,2015-09-30

[2]

激光脉冲溅射沉积制备Ni-Mn-Co-In合金薄膜的方法 [P].

董桂馥 .

中国专利 :CN105296925B ,2016-02-03

[3]

一种高平整度的Ni50Mn34In12Co4合金薄膜的制备方法 [P].

董桂馥 .

中国专利 :CN105018888A ,2015-11-04

[4]

γ相被抑制的高温双相Ni-Mn-Ga-Gd合金及其制备方法 [P].

董桂馥 .

中国专利 :CN104962780A ,2015-10-07

[5]

一种多晶Ni-Co-Mn-In-Gd合金及其制备方法 [P].

孟祥龙 ;

李航 ;

蔡伟 .

中国专利 :CN103074522A ,2013-05-01

[6]

大残余内应力Ni-Mn-Ga磁驱动记忆合金薄膜制备方法 [P].

刘超 ;

牟海维 ;

周围 ;

高新成 ;

刘文嘉 ;

张坤 .

中国专利 :CN102345105B ,2013-06-26

[7]

一种通过粉末烧结来抑制γ相比例的Ni-Mn-Ga记忆合金的制备方法 [P].

董桂馥 ;

吴蒙华 ;

王珍 .

中国专利 :CN108060330B ,2018-05-22

[8]

一种可用于纺织的Ni‑Mn‑Ga合金纤维及制备方法 [P].

朱洁 ;

刘德星 ;

丁志义 ;

张新振 .

中国专利 :CN107299418A ,2017-10-27

[9]

一种Ni‑Mn‑Ga合金薄带及其制备方法 [P].

李宗宾 ;

杨波 ;

赵骧 ;

左良 .

中国专利 :CN105400998B ,2016-03-16

[10]

一种可用于纺织的Ni-Mn-Ga合金纤维丝及制备方法 [P].

朱洁 ;

刘德星 ;

丁志义 ;

张新振 .

中国专利 :CN105648275A ,2016-06-08

← 1 2 3 4 5 →