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一种高平整度的Ni50Mn34In12Co4合金薄膜的制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201510446285.6
申请日
:
2015-07-27
公开(公告)号
:
CN105018888A
公开(公告)日
:
2015-11-04
发明(设计)人
:
董桂馥
申请人
:
申请人地址
:
116622 辽宁省大连市经济技术开发区学府大街10号
IPC主分类号
:
C23C1434
IPC分类号
:
C23C1418
代理机构
:
大连智高专利事务所(特殊普通合伙) 21235
代理人
:
胡景波
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2015-12-02
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101635136357 IPC(主分类):C23C 14/34 专利申请号:2015104462856 申请日:20150727
2015-11-04
公开
公开
2018-03-20
授权
授权
共 50 条
[1]
激光脉冲溅射沉积制备Ni-Mn-Co-In合金薄膜的方法
[P].
董桂馥
论文数:
0
引用数:
0
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0
董桂馥
.
中国专利
:CN105296925B
,2016-02-03
[2]
一种高锰合金薄膜Mn53Ni23Ga24的制备方法
[P].
董桂馥
论文数:
0
引用数:
0
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0
董桂馥
.
中国专利
:CN104947053A
,2015-09-30
[3]
一种激光脉冲溅射沉积制备Ni52Mn24Ga24合金薄膜的方法
[P].
董桂馥
论文数:
0
引用数:
0
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0
董桂馥
.
中国专利
:CN104947052A
,2015-09-30
[4]
一种高强、高塑性Ni50Mn34In11Co5磁记忆合金的制备方法
[P].
董桂馥
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0
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董桂馥
;
张倩倩
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张倩倩
;
陈建国
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0
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0
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陈建国
.
中国专利
:CN108085523A
,2018-05-29
[5]
一种高强度Ni50Mn34In16磁记忆合金的制备方法
[P].
董桂馥
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董桂馥
;
王兴安
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王兴安
;
王通
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王通
;
赵益民
论文数:
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0
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0
赵益民
.
中国专利
:CN107058848B
,2017-08-18
[6]
一种高强、高塑性Ni50Mn34In16‑xCox磁记忆合金的制备方法
[P].
董桂馥
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董桂馥
;
张倩倩
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0
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张倩倩
;
陈建国
论文数:
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陈建国
.
中国专利
:CN107142389A
,2017-09-08
[7]
一种多晶Ni-Co-Mn-In-Gd合金及其制备方法
[P].
孟祥龙
论文数:
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孟祥龙
;
李航
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李航
;
蔡伟
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0
蔡伟
.
中国专利
:CN103074522A
,2013-05-01
[8]
一种通过磁控溅射直流共溅射制备Ni-Co-Mn-Ti合金薄膜的方法
[P].
马胜灿
论文数:
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马胜灿
;
刘凯
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刘凯
;
张林
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0
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张林
;
钟震晨
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钟震晨
;
钟明龙
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0
钟明龙
;
江庆政
论文数:
0
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0
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0
江庆政
.
中国专利
:CN107881475B
,2018-04-06
[9]
一种高平整度丁基胶带的生产工艺
[P].
陈文雄
论文数:
0
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0
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0
机构:
科建高分子材料(上海)股份有限公司
科建高分子材料(上海)股份有限公司
陈文雄
;
黄伟建
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机构:
科建高分子材料(上海)股份有限公司
科建高分子材料(上海)股份有限公司
黄伟建
;
马兴兵
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机构:
科建高分子材料(上海)股份有限公司
科建高分子材料(上海)股份有限公司
马兴兵
;
吴海涛
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机构:
科建高分子材料(上海)股份有限公司
科建高分子材料(上海)股份有限公司
吴海涛
;
王奎玉
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机构:
科建高分子材料(上海)股份有限公司
科建高分子材料(上海)股份有限公司
王奎玉
.
中国专利
:CN119388720A
,2025-02-07
[10]
一种高阻尼Ni-Co-Mn-Sn磁性形状记忆合金及其制备方法
[P].
论文数:
引用数:
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机构:
胥永刚
;
胡宇森
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机构:
西南交通大学
西南交通大学
胡宇森
;
论文数:
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机构:
张松
;
论文数:
引用数:
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机构:
吴强
;
论文数:
引用数:
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机构:
刘鹏
.
中国专利
:CN117248148B
,2025-12-26
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