一种g-C3N4/FeS2纳米复合材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710002931.9

申请日：

2017-01-04

公开(公告)号：

CN106698526B

公开(公告)日：

2017-05-24

发明(设计)人：

李长生张帅付彦惠纪琳晶

申请人：

申请人地址：

212013 江苏省镇江市京口区学府路301号

IPC主分类号：

C01G4912

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代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-06-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101727788199 IPC(主分类):C01G 49/12 专利申请号:2017100029319 申请日:20170104
2018-06-01	授权	授权
2017-05-24	公开	公开
2019-12-20	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01G 49/12 申请日:20170104 授权公告日:20180601 终止日期:20190104

共 50 条

[1]

FeS2/g-C3N4异质结材料的制备方法及其应用 [P].

李莉 ;

赵志伟 ;

袁艺鸣 ;

张赛 ;

黄俊 ;

代勤 .

中国专利 :CN110075896B ,2019-08-02

[2]

Ni-NiO/g-C3N4纳米复合材料的制备方法 [P].

张平 ;

方坤 ;

林佳宏 ;

米海刚 ;

韩立娟 ;

安召 .

中国专利 :CN110142059B ,2019-08-20

[3]

一种g‑C3N4/MoS2纳米复合材料的制备方法 [P].

李长生 ;

董金泽 ;

刘帅 ;

张帅 ;

彭维祥 .

中国专利 :CN106590815A ,2017-04-26

[4]

一种g‑C3N4/ZnS纳米复合材料的制备方法 [P].

李长生 ;

陈鋆骅 ;

董金泽 ;

张帅 ;

刘帅 ;

彭维祥 .

中国专利 :CN106430288B ,2017-02-22

[5]

一种g-C3N4/Bi2O2CO3纳米片复合材料的制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108927196A ,2018-12-04

[6]

多孔g-C3N4/AgBr纳米复合材料的制备方法 [P].

杨辉 ;

冯宇 ;

沈建超 ;

蔡奇风 ;

申乾宏 .

中国专利 :CN104289244A ,2015-01-21

[7]

g-C3N4纳米颗粒/花状BiOI复合材料的制备方法 [P].

申乾宏 ;

尤增宇 ;

于洋 ;

王辉 ;

陈昊 ;

杨辉 .

中国专利 :CN107876074B ,2018-04-06

[8]

InVO4/g-C3N4复合材料的制备方法 [P].

杨辉 ;

沈建超 ;

申乾宏 ;

冯宇 ;

蔡奇风 .

中国专利 :CN104307550A ,2015-01-28

[9]

TiO2/多孔g-C3N4复合材料的制备方法 [P].

沈建超 ;

申乾宏 ;

杨辉 ;

冯宇 ;

蔡奇风 .

中国专利 :CN104209136A ,2014-12-17

[10]

一种Bi@Ti3C2/g-C3N4复合材料及其制备方法 [P].

柏寄荣 ;

许鹏 ;

邓瑶瑶 ;

邵林锋 ;

左武杰 .

中国专利 :CN111111735A ,2020-05-08

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