实现硅锗异质结晶体管基区窗口的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910201936.X

申请日：

2009-12-15

公开(公告)号：

CN102097315A

公开(公告)日：

2011-06-15

发明(设计)人：

陈帆张海芳徐炯

申请人：

申请人地址：

201206 上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L21331

IPC分类号：

H01L2128

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

戴广志

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-08-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101096111133 IPC(主分类):H01L 21/331 专利申请号:200910201936X 申请日:20091215
2011-06-15	公开	公开
2014-02-05	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101689534830 IPC(主分类):H01L 21/331 专利号:ZL200910201936X 变更事项:专利权人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东新区川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140108
2013-03-13	授权	授权

共 50 条

[1]

锗硅异质结晶体管的制备方法 [P].

包赛赛 ;

马寒骏 ;

王勇 ;

卢明辉 ;

周康 ;

杨德明 ;

杜明锋 ;

张守龙 .

中国专利 :CN118448262A ,2024-08-06

[2]

锗硅异质结晶体管的制造方法 [P].

刘丙永 ;

陈曦 ;

黄景丰 ;

杨继业 .

中国专利 :CN115394838A ,2022-11-25

[3]

锗硅异质结晶体管的制造方法 [P].

刘丙永 ;

陈曦 ;

黄景丰 ;

杨继业 .

中国专利 :CN115394838B ,2025-08-08

[4]

锗硅异质结晶体管的制造方法 [P].

刘丙永 ;

陈曦 ;

黄景丰 ;

杨继业 .

中国专利 :CN115498017B ,2025-08-12

[5]

锗硅异质结晶体管的制造方法 [P].

刘丙永 ;

陈曦 ;

黄景丰 ;

杨继业 .

中国专利 :CN115498017A ,2022-12-20

[6]

选择性生长锗硅异质结晶体管内基区的方法 [P].

刘青 ;

陈非 ;

黄东 ;

钟怡 ;

谭华勇 ;

杨赉 ;

马丽娜 ;

杨法明 ;

林成鹏 ;

刘建 ;

税国华 ;

殷万军 ;

吴建 .

中国专利 :CN121126836A ,2025-12-12

[7]

锗硅阳极绝缘栅异质结晶体管 [P].

李平 ;

李学宁 .

中国专利 :CN1067489C ,1997-10-08

[8]

硅锗异质结晶体管及其制造方法 [P].

陈帆 ;

张海芳 ;

周正良 ;

徐炯 .

中国专利 :CN102097466B ,2011-06-15

[9]

选择性生长异质结晶体管掺碳锗硅内基区的方法 [P].

刘青 ;

陈非 ;

刘建 ;

肖添 ;

杨婵 ;

马丽娜 ;

杨赉 ;

王磊 ;

林成鹏 ;

黄东 ;

殷万军 ;

税国华 ;

吴建 .

中国专利 :CN121126835A ,2025-12-12

[10]

抬高外基区锗硅异质结晶体管及其制备工艺 [P].

王玉东 ;

周卫 ;

徐阳 ;

付军 ;

张伟 ;

蒋志 ;

钱佩信 .

中国专利 :CN101106158A ,2008-01-16

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