抬高外基区锗硅异质结晶体管及其制备工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710118196.4

申请日：

2007-07-02

公开(公告)号：

CN101106158A

公开(公告)日：

2008-01-16

发明(设计)人：

王玉东周卫徐阳付军张伟蒋志钱佩信

申请人：

申请人地址：

100086北京市海淀区中关村南大街6号中电信息大厦902室

IPC主分类号：

H01L29737

IPC分类号：

H01L2906 H01L21331

代理机构：

北京众合诚成知识产权代理有限公司

代理人：

李光松

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-08-26	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101622494953 IPC(主分类):H01L 29/737 专利号:ZL2007101181964 申请日:20070702 授权公告日:20090701 终止日期:20140702
2008-03-05	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-07-01	授权	授权
2008-01-16	公开	公开
2010-12-29	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101057000537 IPC(主分类):H01L 29/737 专利号:ZL2007101181964 变更事项:专利权人变更前权利人:中电华清微电子工程中心有限公司变更后权利人:中国电子信息产业集团有限公司变更事项:地址变更前权利人:100086 北京市海淀区中关村南大街6号中电信息大厦902室变更后权利人:100864 北京市海淀区万寿路27号变更事项:共同专利权人变更前权利人:无变更后权利人:清华控股有限公司登记生效日:20101118

共 50 条

[1]

非自对准抬高外基区锗硅异质结晶体管及其制备工艺 [P].

王玉东 ;

徐阳 ;

付军 ;

周卫 ;

张伟 ;

蒋志 ;

钱佩信 .

中国专利 :CN101140946A ,2008-03-12

[2]

锗硅异质结晶体管及其制备方法 [P].

刘丙永 .

中国专利 :CN115394837A ,2022-11-25

[3]

锗硅异质结晶体管及其制备方法 [P].

刘丙永 .

中国专利 :CN115394837B ,2025-12-09

[4]

硅锗异质结晶体管及其制造方法 [P].

陈帆 ;

张海芳 ;

周正良 ;

徐炯 .

中国专利 :CN102097466B ,2011-06-15

[5]

L形硅锗异质结晶体管及其制备方法 [P].

陈帆 ;

张海芳 ;

徐炯 ;

周郑良 .

中国专利 :CN102122667A ,2011-07-13

[6]

锗硅异质结晶体管的制备方法 [P].

包赛赛 ;

马寒骏 ;

王勇 ;

卢明辉 ;

周康 ;

杨德明 ;

杜明锋 ;

张守龙 .

中国专利 :CN118448262A ,2024-08-06

[7]

实现硅锗异质结晶体管基区窗口的方法 [P].

陈帆 ;

张海芳 ;

徐炯 .

中国专利 :CN102097315A ,2011-06-15

[8]

选择性生长锗硅异质结晶体管内基区的方法 [P].

刘青 ;

陈非 ;

黄东 ;

钟怡 ;

谭华勇 ;

杨赉 ;

马丽娜 ;

杨法明 ;

林成鹏 ;

刘建 ;

税国华 ;

殷万军 ;

吴建 .

中国专利 :CN121126836A ,2025-12-12

[9]

锗硅异质结晶体管的制造方法 [P].

刘丙永 ;

陈曦 ;

黄景丰 ;

杨继业 .

中国专利 :CN115394838B ,2025-08-08

[10]

锗硅异质结晶体管的制造方法 [P].

刘丙永 ;

陈曦 ;

黄景丰 ;

杨继业 .

中国专利 :CN115394838A ,2022-11-25

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