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厚膜用光致抗蚀剂组合物及厚膜光致抗蚀剂图案形成方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202010681978.4
申请日
:
2020-07-15
公开(公告)号
:
CN112241106A
公开(公告)日
:
2021-01-19
发明(设计)人
:
柳大喆
赵恩率
大野庆晃
申请人
:
申请人地址
:
日本国神奈川县
IPC主分类号
:
G03F7004
IPC分类号
:
G03F720
G03F730
代理机构
:
上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291
代理人
:
陈亦欧;毛立群
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-01-19
公开
公开
2022-04-15
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/004 申请日:20200715
共 50 条
[1]
厚膜抗蚀剂膜形成用抗蚀剂组合物、厚膜抗蚀剂层叠体以及抗蚀剂图案形成方法
[P].
赵恩率
论文数:
0
引用数:
0
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0
赵恩率
;
大野庆晃
论文数:
0
引用数:
0
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0
大野庆晃
;
柳大喆
论文数:
0
引用数:
0
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0
柳大喆
.
中国专利
:CN113281963A
,2021-08-20
[2]
光致抗蚀剂图案形成方法
[P].
角田力太
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
东京应化工业株式会社
东京应化工业株式会社
角田力太
;
柳楠熙
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
东京应化工业株式会社
东京应化工业株式会社
柳楠熙
;
染谷康夫
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
东京应化工业株式会社
东京应化工业株式会社
染谷康夫
.
日本专利
:CN112946999B
,2025-12-23
[3]
光致抗蚀剂图案形成方法
[P].
角田力太
论文数:
0
引用数:
0
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0
角田力太
;
柳楠熙
论文数:
0
引用数:
0
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0
柳楠熙
;
染谷康夫
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
染谷康夫
.
中国专利
:CN112946999A
,2021-06-11
[4]
光致抗蚀剂组合物和形成光致抗蚀剂图案的方法
[P].
何俊智
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
何俊智
;
张庆裕
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
张庆裕
;
林进祥
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
林进祥
.
中国专利
:CN111007695B
,2025-06-06
[5]
光致抗蚀剂组合物和形成光致抗蚀剂图案的方法
[P].
何俊智
论文数:
0
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0
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0
何俊智
;
张庆裕
论文数:
0
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0
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0
张庆裕
;
林进祥
论文数:
0
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0
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0
林进祥
.
中国专利
:CN111007695A
,2020-04-14
[6]
光致抗蚀剂显影液组合物及光致抗蚀剂图案形成方法
[P].
李喻珍
论文数:
0
引用数:
0
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0
李喻珍
;
鲁京奎
论文数:
0
引用数:
0
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0
鲁京奎
.
中国专利
:CN107870524B
,2018-04-03
[7]
光致抗蚀剂组合物和抗蚀图案的形成方法
[P].
平山拓
论文数:
0
引用数:
0
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0
平山拓
;
藤村悟史
论文数:
0
引用数:
0
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0
藤村悟史
;
远藤浩太朗
论文数:
0
引用数:
0
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0
远藤浩太朗
;
石塚启太
论文数:
0
引用数:
0
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0
石塚启太
.
中国专利
:CN1754125A
,2006-03-29
[8]
光致抗蚀剂组合物和使用光致抗蚀剂组合物形成图案的方法
[P].
高次元
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
高次元
;
尹孝在
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
尹孝在
;
西恒宽
论文数:
0
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0
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0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
西恒宽
;
林佳英
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
林佳英
.
韩国专利
:CN119644670A
,2025-03-18
[9]
光致抗蚀剂组合物和形成光致抗蚀剂图案的方法
[P].
杨立柏
论文数:
0
引用数:
0
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0
杨立柏
;
张庆裕
论文数:
0
引用数:
0
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0
张庆裕
.
中国专利
:CN113238457A
,2021-08-10
[10]
光致抗蚀剂组合物及形成光致抗蚀剂图案的方法
[P].
郑载昌
论文数:
0
引用数:
0
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0
郑载昌
.
中国专利
:CN100383666C
,2005-05-25
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