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IGBT版图结构
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202110330816.0
申请日
:
2021-03-26
公开(公告)号
:
CN113097204A
公开(公告)日
:
2021-07-09
发明(设计)人
:
程炜涛
姚阳
申请人
:
申请人地址
:
201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区郭守敬路498号8幢19号楼3层
IPC主分类号
:
H01L2702
IPC分类号
:
H01L29739
代理机构
:
上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙) 31251
代理人
:
杨用玲
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-07-09
公开
公开
2021-07-27
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/02 申请日:20210326
共 50 条
[1]
沟槽IGBT芯片版图结构
[P].
曹功勋
论文数:
0
引用数:
0
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0
曹功勋
;
郎金荣
论文数:
0
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郎金荣
;
刘建华
论文数:
0
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0
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刘建华
.
中国专利
:CN113363252A
,2021-09-07
[2]
IGBT芯片版图布局结构
[P].
陈宏
论文数:
0
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0
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0
陈宏
;
朱阳军
论文数:
0
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0
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0
朱阳军
;
徐承福
论文数:
0
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0
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徐承福
;
卢烁今
论文数:
0
引用数:
0
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0
卢烁今
;
吴凯
论文数:
0
引用数:
0
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0
吴凯
.
中国专利
:CN203012722U
,2013-06-19
[3]
内置可调栅极电阻的IGBT版图结构
[P].
程炜涛
论文数:
0
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0
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0
程炜涛
;
姚阳
论文数:
0
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0
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0
姚阳
.
中国专利
:CN216749899U
,2022-06-14
[4]
一种IGBT芯片的版图结构
[P].
王鑫
论文数:
0
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0
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0
机构:
浙江翠展微电子有限公司
浙江翠展微电子有限公司
王鑫
;
莫媛媛
论文数:
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0
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机构:
浙江翠展微电子有限公司
浙江翠展微电子有限公司
莫媛媛
.
中国专利
:CN222015405U
,2024-11-15
[5]
一种沟槽栅场截止型IGBT及其版图结构
[P].
任真伟
论文数:
0
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0
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0
机构:
深圳平创半导体有限公司
深圳平创半导体有限公司
任真伟
;
王晓
论文数:
0
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0
机构:
深圳平创半导体有限公司
深圳平创半导体有限公司
王晓
.
中国专利
:CN118431271A
,2024-08-02
[6]
一种RC-IGBT器件版图
[P].
阳平
论文数:
0
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0
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阳平
.
中国专利
:CN210605712U
,2020-05-22
[7]
一种IGBT芯片版图金属层
[P].
郭乔
论文数:
0
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0
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0
郭乔
;
林泳浩
论文数:
0
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0
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林泳浩
;
李伟聪
论文数:
0
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0
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李伟聪
.
中国专利
:CN212659541U
,2021-03-05
[8]
IGBT芯片的背面结构、IGBT芯片结构及制备方法
[P].
曹功勋
论文数:
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0
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曹功勋
;
朱涛
论文数:
0
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0
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0
朱涛
;
刘瑞
论文数:
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刘瑞
;
吴昊
论文数:
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0
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吴昊
;
金锐
论文数:
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0
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金锐
;
吴军民
论文数:
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0
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吴军民
;
潘艳
论文数:
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0
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0
潘艳
.
中国专利
:CN109671771B
,2019-04-23
[9]
IGBT结构
[P].
蒋章
论文数:
0
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0
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0
蒋章
;
刘须电
论文数:
0
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0
刘须电
;
缪进征
论文数:
0
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缪进征
.
中国专利
:CN109830530B
,2019-05-31
[10]
IGBT器件结构
[P].
温世达
论文数:
0
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温世达
;
陶少勇
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0
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陶少勇
;
吕磊
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0
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吕磊
;
曹新明
论文数:
0
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0
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0
曹新明
.
中国专利
:CN210984734U
,2020-07-10
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