IGBT版图结构

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202110330816.0
申请日
2021-03-26
公开(公告)号
CN113097204A
公开(公告)日
2021-07-09
发明(设计)人
程炜涛 姚阳
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区郭守敬路498号8幢19号楼3层
IPC主分类号
H01L2702
IPC分类号
H01L29739
代理机构
上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙) 31251
代理人
杨用玲
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
沟槽IGBT芯片版图结构 [P]. 
曹功勋 ;
郎金荣 ;
刘建华 .
中国专利 :CN113363252A ,2021-09-07
[2]
IGBT芯片版图布局结构 [P]. 
陈宏 ;
朱阳军 ;
徐承福 ;
卢烁今 ;
吴凯 .
中国专利 :CN203012722U ,2013-06-19
[3]
内置可调栅极电阻的IGBT版图结构 [P]. 
程炜涛 ;
姚阳 .
中国专利 :CN216749899U ,2022-06-14
[4]
一种IGBT芯片的版图结构 [P]. 
王鑫 ;
莫媛媛 .
中国专利 :CN222015405U ,2024-11-15
[5]
一种沟槽栅场截止型IGBT及其版图结构 [P]. 
任真伟 ;
王晓 .
中国专利 :CN118431271A ,2024-08-02
[6]
一种RC-IGBT器件版图 [P]. 
阳平 .
中国专利 :CN210605712U ,2020-05-22
[7]
一种IGBT芯片版图金属层 [P]. 
郭乔 ;
林泳浩 ;
李伟聪 .
中国专利 :CN212659541U ,2021-03-05
[8]
IGBT芯片的背面结构、IGBT芯片结构及制备方法 [P]. 
曹功勋 ;
朱涛 ;
刘瑞 ;
吴昊 ;
金锐 ;
吴军民 ;
潘艳 .
中国专利 :CN109671771B ,2019-04-23
[9]
IGBT结构 [P]. 
蒋章 ;
刘须电 ;
缪进征 .
中国专利 :CN109830530B ,2019-05-31
[10]
IGBT器件结构 [P]. 
温世达 ;
陶少勇 ;
吕磊 ;
曹新明 .
中国专利 :CN210984734U ,2020-07-10