沟槽IGBT芯片版图结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110603168.1

申请日：

2021-05-31

公开(公告)号：

CN113363252A

公开(公告)日：

2021-09-07

发明(设计)人：

曹功勋郎金荣刘建华

申请人：

申请人地址：

200120 上海市浦东新区云水路600号

IPC主分类号：

H01L2702

IPC分类号：

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

贺妮妮

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/02 申请日:20210531
2021-09-07	公开	公开

共 50 条

[1]

IGBT芯片版图布局结构 [P].

陈宏 ;

朱阳军 ;

徐承福 ;

卢烁今 ;

吴凯 .

中国专利 :CN203012722U ,2013-06-19

[2]

一种沟槽型IGBT版图结构 [P].

左小珍 ;

朱阳军 ;

赵佳 ;

田晓丽 .

中国专利 :CN202948932U ,2013-05-22

[3]

宽沟槽栅IGBT芯片 [P].

关仕汉 ;

迟晓丽 .

中国专利 :CN208538866U ,2019-02-22

[4]

IGBT版图结构 [P].

程炜涛 ;

姚阳 .

中国专利 :CN113097204A ,2021-07-09

[5]

一种IGBT芯片的版图结构 [P].

王鑫 ;

莫媛媛 .

中国专利 :CN222015405U ,2024-11-15

[6]

沟槽台阶栅IGBT芯片 [P].

朱春林 ;

罗海辉 ;

刘国友 ;

戴小平 ;

肖强 ;

覃荣震 .

中国专利 :CN108538912B ,2018-09-14

[7]

一种沟槽栅IGBT芯片 [P].

刘国友 ;

覃荣震 ;

黄建伟 .

中国专利 :CN104157684B ,2014-11-19

[8]

一种沟槽型IGBT芯片有源区边缘结构 [P].

郑婷婷 ;

李宇柱 ;

李伟邦 ;

骆健 ;

董长城 ;

叶枫叶 .

中国专利 :CN111916495A ,2020-11-10

[9]

一种沟槽型IGBT芯片有源区边缘结构 [P].

李向坤 ;

薛亮 ;

葛莹 .

中国专利 :CN120568778B ,2025-12-09

[10]

一种沟槽型IGBT芯片有源区边缘结构 [P].

李向坤 ;

薛亮 ;

葛莹 .

中国专利 :CN120568778A ,2025-08-29

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