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宽沟槽栅IGBT芯片
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN201821367528.2
申请日
:
2018-08-23
公开(公告)号
:
CN208538866U
公开(公告)日
:
2019-02-22
发明(设计)人
:
关仕汉
迟晓丽
申请人
:
申请人地址
:
255086 山东省淄博市高新区政通路135号高科技创业园C416室
IPC主分类号
:
H01L29739
IPC分类号
:
H01L29423
代理机构
:
青岛发思特专利商标代理有限公司 37212
代理人
:
耿霞;程强强
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-02-22
授权
授权
共 50 条
[1]
沟槽栅IGBT器件
[P].
陆佳顺
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机构:
新硅能微电子(苏州)有限公司
新硅能微电子(苏州)有限公司
陆佳顺
;
孙磊
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机构:
新硅能微电子(苏州)有限公司
新硅能微电子(苏州)有限公司
孙磊
;
陈译
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机构:
新硅能微电子(苏州)有限公司
新硅能微电子(苏州)有限公司
陈译
;
杨洁雯
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机构:
新硅能微电子(苏州)有限公司
新硅能微电子(苏州)有限公司
杨洁雯
.
中国专利
:CN223219397U
,2025-08-12
[2]
沟槽台阶栅IGBT芯片
[P].
朱春林
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朱春林
;
罗海辉
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罗海辉
;
刘国友
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刘国友
;
戴小平
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戴小平
;
肖强
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肖强
;
覃荣震
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覃荣震
.
中国专利
:CN108538912B
,2018-09-14
[3]
一种沟槽栅型IGBT芯片
[P].
刘国友
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刘国友
;
覃荣震
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覃荣震
;
黄建伟
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黄建伟
.
中国专利
:CN102969350A
,2013-03-13
[4]
一种沟槽栅IGBT的制备方法及沟槽栅IGBT、芯片
[P].
杨磊
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杨磊
;
刘杰
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刘杰
.
中国专利
:CN115588614A
,2023-01-10
[5]
一种沟槽栅IGBT的制备方法及沟槽栅IGBT、芯片
[P].
杨磊
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机构:
深圳芯能半导体技术有限公司
深圳芯能半导体技术有限公司
杨磊
;
刘杰
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机构:
深圳芯能半导体技术有限公司
深圳芯能半导体技术有限公司
刘杰
.
中国专利
:CN115588614B
,2025-09-12
[6]
一种沟槽栅IGBT芯片
[P].
刘国友
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刘国友
;
覃荣震
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覃荣震
;
黄建伟
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黄建伟
.
中国专利
:CN104157684B
,2014-11-19
[7]
沟槽栅IGBT制作方法及沟槽栅IGBT
[P].
刘国友
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刘国友
;
朱利恒
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朱利恒
;
黄建伟
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黄建伟
;
罗海辉
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罗海辉
;
谭灿健
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谭灿健
;
刘根
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刘根
.
中国专利
:CN106910767A
,2017-06-30
[8]
一种沟槽栅IGBT结构
[P].
周露妍
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周露妍
;
莫晓亮
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莫晓亮
;
任洪瑞
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任洪瑞
;
张攀
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张攀
.
中国专利
:CN217280785U
,2022-08-23
[9]
沟槽栅IGBT芯片的制作方法
[P].
姚尧
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姚尧
;
罗海辉
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罗海辉
;
肖强
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肖强
.
中国专利
:CN110416079A
,2019-11-05
[10]
一种沟槽栅IGBT
[P].
俞义长
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俞义长
;
戚丽娜
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戚丽娜
;
张海泉
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张海泉
;
井亚会
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井亚会
;
赵善麒
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赵善麒
.
中国专利
:CN211017085U
,2020-07-14
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