一种沟槽栅型IGBT芯片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210520924.5

申请日：

2012-12-07

公开(公告)号：

CN102969350A

公开(公告)日：

2013-03-13

发明(设计)人：

刘国友覃荣震黄建伟

申请人：

申请人地址：

412001 湖南省株洲市石峰区田心时代路169号

IPC主分类号：

H01L29739

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

湖南兆弘专利事务所 43008

代理人：

赵洪

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-04-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101433999012 IPC(主分类):H01L 29/739 专利申请号:2012105209245 申请日:20121207
2016-04-20	授权	授权
2020-11-03	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 29/739 变更事项:专利权人变更前:株洲南车时代电气股份有限公司变更后:株洲中车时代电气股份有限公司变更事项:地址变更前:412001 湖南省株洲市石峰区田心时代路169号变更后:412001 湖南省株洲市石峰区时代路169号
2020-11-03	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/739 登记生效日:20201021 变更事项:专利权人变更前权利人:株洲中车时代电气股份有限公司变更后权利人:株洲中车时代半导体有限公司变更事项:地址变更前权利人:412001 湖南省株洲市石峰区时代路169号变更后权利人:412001 湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼三楼309室
2013-03-13	公开	公开

共 50 条

[1]

一种平面栅型IGBT芯片 [P].

刘国友 ;

覃荣震 ;

黄建伟 .

中国专利 :CN102969351A ,2013-03-13

[2]

宽沟槽栅IGBT芯片 [P].

关仕汉 ;

迟晓丽 .

中国专利 :CN208538866U ,2019-02-22

[3]

沟槽台阶栅IGBT芯片 [P].

朱春林 ;

罗海辉 ;

刘国友 ;

戴小平 ;

肖强 ;

覃荣震 .

中国专利 :CN108538912B ,2018-09-14

[4]

一种沟槽栅IGBT的制备方法及沟槽栅IGBT、芯片 [P].

杨磊 ;

刘杰 .

中国专利 :CN115588614A ,2023-01-10

[5]

一种沟槽栅IGBT的制备方法及沟槽栅IGBT、芯片 [P].

杨磊 ;

刘杰 .

中国专利 :CN115588614B ,2025-09-12

[6]

一种沟槽栅IGBT芯片 [P].

刘国友 ;

覃荣震 ;

黄建伟 .

中国专利 :CN104157684B ,2014-11-19

[7]

一种新型沟槽IGBT芯片 [P].

周炳 ;

赵承杰 ;

许新佳 .

中国专利 :CN210743951U ,2020-06-12

[8]

一种新型沟槽IGBT芯片 [P].

周炳 ;

赵承杰 ;

许新佳 .

中国专利 :CN110690279A ,2020-01-14

[9]

一种沟槽栅型IGBT结构 [P].

金锐 ;

李立 ;

和峰 ;

赵哿 ;

王耀华 ;

刘江 ;

高明超 ;

吴军民 ;

潘艳 ;

白鹭 ;

李冠良 .

中国专利 :CN112652657A ,2021-04-13

[10]

一种场截止型沟槽栅IGBT器件 [P].

伍伟 ;

向勇 ;

孔梓玮 ;

孔晓李 ;

薛鹏 .

中国专利 :CN105428408A ,2016-03-23

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