一种结晶温度可调的Ga30Sb70/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201010117894.4
申请日
2010-03-04
公开(公告)号
CN101807665A
公开(公告)日
2010-08-18
发明(设计)人
翟继卫 汪昌州
申请人
申请人地址
200092 上海市杨浦区四平路1239号
IPC主分类号
H01L4500
IPC分类号
代理机构
上海光华专利事务所 31219
代理人
许亦琳;余明伟
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种结晶温度可调的SiO2/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜材料及其制备方法 [P]. 
翟继卫 ;
汪昌州 ;
沈波 .
中国专利 :CN101976725A ,2011-02-16
[2]
一种Sb80Te20/SbSe纳米复合多层相变薄膜及其制备和应用 [P]. 
沈波 ;
孙明成 ;
翟继卫 ;
胡益丰 .
中国专利 :CN102903846A ,2013-01-30
[3]
一种Si/Sb80Te20纳米复合多层相变薄膜及其制备方法 [P]. 
翟继卫 ;
汪昌州 .
中国专利 :CN101714610A ,2010-05-26
[4]
一种Sb70Se30/C多层复合相变薄膜及其制备方法和应用 [P]. 
张丹 ;
胡益丰 ;
卢雅琳 ;
朱小芹 ;
孙月梅 ;
邹华 .
中国专利 :CN109301064A ,2019-02-01
[5]
一种Sb70Se30/Si多层复合相变薄膜及其制备方法和应用 [P]. 
张丹 ;
胡益丰 ;
卢雅琳 ;
朱小芹 ;
孙月梅 ;
邹华 .
中国专利 :CN109166965A ,2019-01-08
[6]
一种GeTe/Sb2Te3纳米复合多层相变薄膜及其制备方法 [P]. 
翟继卫 ;
汪昌州 ;
尚飞 .
中国专利 :CN101540370B ,2009-09-23
[7]
Sn20Sb80/Si多层相变薄膜材料及其制备方法 [P]. 
胡益丰 ;
郭璇 ;
张锐 ;
尤海鹏 ;
朱小芹 ;
邹华 .
中国专利 :CN109037439A ,2018-12-18
[8]
一种CH/Sb纳米复合多层相变薄膜材料及其制备方法和应用 [P]. 
胡益丰 ;
徐永康 ;
朱小芹 ;
邹华 .
中国专利 :CN110010764B ,2019-07-12
[9]
一种Sb70Se30/SiO2多层纳米复合相变薄膜材料及其制备方法和应用 [P]. 
张丹 ;
卢雅琳 ;
朱小芹 ;
周健 ;
胡益丰 ;
邹华 ;
孙月梅 ;
张建豪 ;
袁丽 ;
吴卫华 .
中国专利 :CN106374041B ,2017-02-01
[10]
一种Mg‑Sb‑Se纳米相变薄膜及其制备方法 [P]. 
吴冬燕 ;
章雯 ;
吴阳江 .
中国专利 :CN107342362A ,2017-11-10