薄膜电阻器制法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410177963.9

申请日：

2014-04-29

公开(公告)号：

CN104900358B

公开(公告)日：

2015-09-09

发明(设计)人：

王高源陈惠如庄乃川

申请人：

申请人地址：

中国台湾台北市

IPC主分类号：

H01C17075

IPC分类号：

H01C1708

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

梁挥;常大军

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-09-09	公开	公开
2017-10-10	授权	授权
2015-10-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101628122137 IPC(主分类):H01C 17/075 专利申请号:2014101779639 申请日:20140429

共 50 条

[1]

薄膜电阻器 [P].

S·J·高尔 ;

M·D·丘奇 .

中国专利 :CN102129965A ,2011-07-20

[2]

薄膜电阻器 [P].

巫致玮 ;

陈惠如 ;

庄乃川 ;

王高源 .

中国专利 :CN203858946U ,2014-10-01

[3]

复合层薄膜电阻器 [P].

张军会 ;

吴术爱 ;

李立 ;

张亚飞 ;

魏继承 ;

朱海柳 .

中国专利 :CN207124088U ,2018-03-20

[4]

高电阻薄膜电阻器及形成所述电阻器的方法 [P].

拜伦·洛弗尔·威廉斯 ;

约翰·布里顿·罗宾斯 .

中国专利 :CN103779335A ,2014-05-07

[5]

金属薄膜电阻器及工艺 [P].

A·阿里 ;

E·比奇 .

中国专利 :CN105874599A ,2016-08-17

[6]

薄膜电阻器及其制备方法 [P].

肖科 ;

樊永辉 ;

许明伟 ;

樊晓兵 .

中国专利 :CN118800539A ,2024-10-18

[7]

多层无过孔薄膜电阻器 [P].

O·勒内尔 ;

C·梁 .

中国专利 :CN202230814U ,2012-05-23

[8]

一种薄膜电阻器 [P].

李桂材 ;

陈庆红 ;

朱雪婷 ;

杨锐 .

中国专利 :CN208111291U ,2018-11-16

[9]

薄膜电阻器的制造方法 [P].

陈木元 ;

陈泰铭 .

中国专利 :CN1166061A ,1997-11-26

[10]

薄膜电阻器的制造方法 [P].

叶德强 ;

匡训沖 ;

刘铭棋 ;

喻中一 ;

赵治平 ;

亚历山大·卡尼斯基 .

中国专利 :CN102129900A ,2011-07-20

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