薄膜电阻器的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010170233.8

申请日：

2010-04-27

公开(公告)号：

CN102129900A

公开(公告)日：

2011-07-20

发明(设计)人：

叶德强匡训沖刘铭棋喻中一赵治平亚历山大·卡尼斯基

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01C17075

IPC分类号：

H01L2102

代理机构：

北京市德恒律师事务所 11306

代理人：

陆鑫;高雪琴

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-08-31	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101102909337 IPC(主分类):H01C 17/075 专利申请号:2010101702338 申请日:20100427
2011-07-20	公开	公开
2012-11-14	授权	授权

共 50 条

[1]

薄膜电阻器及其制造方法 [P].

D·L·哈尔蒙 ;

J·M·鲁卡伊提斯 ;

S·E·劳赫三世 ;

R·R·罗比松 ;

D·K·斯里舍尔 ;

J·H·斯隆 ;

T·D·苏利万 ;

K·M·沃特森 .

中国专利 :CN102479684A ,2012-05-30

[2]

薄膜电阻器的制造方法 [P].

陈木元 ;

陈泰铭 .

中国专利 :CN1166061A ,1997-11-26

[3]

薄膜电阻器的制造方法 [P].

林弘彬 ;

郭献章 .

中国专利 :CN1323044A ,2001-11-21

[4]

片式薄膜电阻器的制造方法 [P].

谢强 ;

杨胜艾 ;

周瑞山 ;

张平 ;

罗向阳 ;

张青 ;

张铎 ;

罗彦军 ;

栗晓帆 ;

杨舰 .

中国专利 :CN101593588B ,2009-12-02

[5]

薄膜电阻器 [P].

S·J·高尔 ;

M·D·丘奇 .

中国专利 :CN102129965A ,2011-07-20

[6]

薄膜电阻器及其制造方法 [P].

王志建 ;

吴香兰 ;

宋红林 ;

张志强 .

中国专利 :CN106298118B ,2017-01-04

[7]

薄膜电阻器及其制造方法 [P].

吕政 ;

彭川 ;

宋洵奕 .

中国专利 :CN118173555A ,2024-06-11

[8]

薄膜电阻器及其制造方法 [P].

法比安·勒杜列斯库 .

中国专利 :CN101253631A ,2008-08-27

[9]

薄膜电阻器及其制造方法 [P].

广岛安 .

中国专利 :CN106340361B ,2017-01-18

[10]

用于薄膜电阻器生产的硬掩膜 [P].

张立文 ;

叶德强 ;

喻中一 ;

匡训冲 ;

曾华洲 ;

赵治平 ;

刘铭棋 ;

曾元泰 .

中国专利 :CN102299054A ,2011-12-28

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