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薄膜电阻器的制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN00108558.1
申请日
:
2000-05-16
公开(公告)号
:
CN1323044A
公开(公告)日
:
2001-11-21
发明(设计)人
:
林弘彬
郭献章
申请人
:
申请人地址
:
台湾新竹市
IPC主分类号
:
H01C1706
IPC分类号
:
H01C17065
H01C17075
H01C17242
H01C1724
H01L4902
代理机构
:
柳沈知识产权律师事务所
代理人
:
李晓舒
法律状态
:
实质审查请求的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2000-11-15
实质审查请求的生效
实质审查请求的生效
2001-11-21
公开
公开
2004-07-28
发明专利申请公布后的视为撤回
发明专利申请公布后的视为撤回
共 50 条
[1]
薄膜电阻器的制造方法
[P].
陈木元
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陈木元
;
陈泰铭
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陈泰铭
.
中国专利
:CN1166061A
,1997-11-26
[2]
薄膜电阻器
[P].
巫致玮
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巫致玮
;
陈惠如
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陈惠如
;
庄乃川
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庄乃川
;
王高源
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王高源
.
中国专利
:CN203858946U
,2014-10-01
[3]
薄膜电阻器的制造方法
[P].
叶德强
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叶德强
;
匡训沖
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匡训沖
;
刘铭棋
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刘铭棋
;
喻中一
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喻中一
;
赵治平
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赵治平
;
亚历山大·卡尼斯基
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亚历山大·卡尼斯基
.
中国专利
:CN102129900A
,2011-07-20
[4]
氮化钽片式薄膜电阻器及其制造方法
[P].
刘剑林
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刘剑林
;
严勇
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严勇
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罗向阳
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罗向阳
;
朱沙
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朱沙
;
杨舰
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杨舰
;
张弦
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张弦
;
史天柯
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史天柯
;
刘金鑫
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刘金鑫
;
李吉云
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李吉云
;
韩玉成
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韩玉成
.
中国专利
:CN102800448B
,2012-11-28
[5]
电阻器制造方法及电阻器
[P].
袁广华
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袁广华
;
杨理强
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杨理强
;
林瑞芬
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林瑞芬
;
徐育洲
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徐育洲
;
黄石兰
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黄石兰
;
刘值源
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刘值源
;
练洁兰
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练洁兰
.
中国专利
:CN108109795B
,2018-06-01
[6]
薄膜电阻器的制作方法
[P].
王育盛
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王育盛
.
中国专利
:CN1248796A
,2000-03-29
[7]
片式薄膜电阻器的制造方法
[P].
谢强
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谢强
;
杨胜艾
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杨胜艾
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周瑞山
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周瑞山
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张平
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张平
;
罗向阳
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罗向阳
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张青
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张青
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张铎
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张铎
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罗彦军
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罗彦军
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栗晓帆
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栗晓帆
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杨舰
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杨舰
.
中国专利
:CN101593588B
,2009-12-02
[8]
薄膜电阻器及其制造方法
[P].
D·L·哈尔蒙
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D·L·哈尔蒙
;
J·M·鲁卡伊提斯
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J·M·鲁卡伊提斯
;
S·E·劳赫三世
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S·E·劳赫三世
;
R·R·罗比松
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R·R·罗比松
;
D·K·斯里舍尔
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D·K·斯里舍尔
;
J·H·斯隆
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J·H·斯隆
;
T·D·苏利万
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T·D·苏利万
;
K·M·沃特森
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K·M·沃特森
.
中国专利
:CN102479684A
,2012-05-30
[9]
薄膜电阻器及其制造方法
[P].
王志建
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王志建
;
吴香兰
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吴香兰
;
宋红林
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宋红林
;
张志强
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张志强
.
中国专利
:CN106298118B
,2017-01-04
[10]
薄膜电阻器及其制造方法
[P].
吕政
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机构:
矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
吕政
;
彭川
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机构:
矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
彭川
;
宋洵奕
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机构:
矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
宋洵奕
.
中国专利
:CN118173555A
,2024-06-11
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