一种离子印迹磁性碳基吸附材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610226707.3

申请日：

2016-04-13

公开(公告)号：

CN105801781A

公开(公告)日：

2016-07-27

发明(设计)人：

刘伟峰刘旭光杨永珍史伟萍许并社

申请人：

申请人地址：

030024 山西省太原市万柏林区迎泽西大街79号

IPC主分类号：

C08F29200

IPC分类号：

C08F22054 C08F22238 C08K906 C08K910 C08K322 B01J2030 B01J2026 B01J2028

代理机构：

太原市科瑞达专利代理有限公司 14101

代理人：

江淑兰

法律状态：

著录事项变更

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-01-02	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):C08F 292/00 变更事项:发明人变更前:刘伟峰刘旭光杨永珍史伟萍许并社变更后:刘伟峰文海荣刘旭光杨永珍史伟萍许并社
2018-01-23	授权	授权
2016-08-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101675849341 IPC(主分类):C08F 292/00 专利申请号:2016102267073 申请日:20160413
2016-07-27	公开	公开

共 50 条

[1]

一种磁性碳基锂离子印迹材料的制备方法 [P].

杨永珍 ;

梁琦 ;

刘伟峰 ;

刘旭光 ;

张二辉 ;

安卓琳 ;

闫光 ;

赵宏 .

中国专利 :CN110078873A ,2019-08-02

[2]

一种磁性铜离子印迹硅胶材料的制备方法 [P].

张腾 ;

古宏伟 ;

丁发柱 ;

屈飞 ;

戴少涛 .

中国专利 :CN102784615A ,2012-11-21

[3]

一种碳基吸附材料的制备方法及碳基吸附材料 [P].

崔倩 ;

熊日华 ;

王保登 ;

孙剑宇 ;

孙华宇 ;

郭禹 ;

李晓峰 .

中国专利 :CN118439607A ,2024-08-06

[4]

一种汞离子印迹吸附材料的制备方法 [P].

冯钦忠 ;

陈扬 ;

刘俐媛 ;

杨世童 ;

郭剑波 ;

王通哲 ;

张秀锦 ;

崔皓 .

中国专利 :CN114225921B ,2024-03-19

[5]

一种汞离子印迹吸附材料的制备方法 [P].

冯钦忠 ;

陈扬 ;

刘俐媛 ;

杨世童 ;

郭剑波 ;

王通哲 ;

张秀锦 ;

崔皓 .

中国专利 :CN114225921A ,2022-03-25

[6]

一种汞离子表面印迹吸附材料的制备方法 [P].

冯钦忠 ;

杨世童 ;

王凯月 ;

陈俊 ;

陈扬 ;

刘俐媛 ;

王通哲 ;

郭剑波 .

中国专利 :CN118105951A ,2024-05-31

[7]

离子印迹磁性富集材料的制备方法 [P].

沈昊宇 ;

叶思 ;

王燕 ;

张佳丽 ;

胡美琴 .

中国专利 :CN107175086A ,2017-09-19

[8]

一种硅藻土基Cr（Ⅵ）离子印迹吸附材料的制备方法 [P].

杨勤桃 ;

解庆林 ;

陈南春 ;

代俊峰 ;

曾鸿鹄 ;

梁延鹏 .

中国专利 :CN110201650A ,2019-09-06

[9]

一种硅藻土基Cr（Ⅲ）离子印迹吸附材料的制备方法 [P].

杨勤桃 ;

解庆林 ;

陈南春 ;

代俊峰 ;

曾鸿鹄 ;

梁延鹏 .

中国专利 :CN110201651A ,2019-09-06

[10]

一种碳基吸附材料及其制备方法 [P].

汪杰明 ;

侯大军 ;

叶晨 ;

朱丽 ;

黄琨 ;

李卓益 .

中国专利 :CN108940206A ,2018-12-07

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