一种汞离子印迹吸附材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111545855.9

申请日：

2021-12-16

公开(公告)号：

CN114225921B

公开(公告)日：

2024-03-19

发明(设计)人：

冯钦忠陈扬刘俐媛杨世童郭剑波王通哲张秀锦崔皓

申请人：

中国科学院大学

申请人地址：

100049 北京市石景山区玉泉路19号（甲）

IPC主分类号：

B01J20/26

IPC分类号：

B01J20/28 B01J20/30 C02F1/28 B01D53/02 C02F101/20

代理机构：

北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467

代理人：

申星宇

法律状态：

授权

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-19	授权	授权

共 50 条

[1]

一种汞离子印迹吸附材料的制备方法 [P].

冯钦忠 ;

陈扬 ;

刘俐媛 ;

杨世童 ;

郭剑波 ;

王通哲 ;

张秀锦 ;

崔皓 .

中国专利 :CN114225921A ,2022-03-25

[2]

一种汞离子印迹材料的制备方法及其应用 [P].

康澍 ;

王倩 ;

兰天 .

中国专利 :CN109847717A ,2019-06-07

[3]

一种汞离子表面印迹吸附材料的制备方法 [P].

冯钦忠 ;

杨世童 ;

王凯月 ;

陈俊 ;

陈扬 ;

刘俐媛 ;

王通哲 ;

郭剑波 .

中国专利 :CN118105951A ,2024-05-31

[4]

一种汞离子印迹膜及其制备方法与应用 [P].

冯钦忠 ;

王凯月 ;

杨世童 ;

刘耀辉 ;

陈扬 ;

刘俐媛 ;

王通哲 ;

郭剑波 .

中国专利 :CN119114032A ,2024-12-13

[5]

一种离子印迹磁性碳基吸附材料的制备方法 [P].

刘伟峰 ;

刘旭光 ;

杨永珍 ;

史伟萍 ;

许并社 .

中国专利 :CN105801781A ,2016-07-27

[6]

一种用于吸附锂离子的离子印迹材料及其制备方法 [P].

郑绵平 ;

丁涛 ;

邢恩袁 ;

郑越 .

中国专利 :CN115400743A ,2022-11-29

[7]

一种去除废水中汞离子吸附材料的制备方法 [P].

皮蒙 ;

雷春生 ;

孟浩影 .

中国专利 :CN106582585A ,2017-04-26

[8]

含有汞离子的液体的处理方法及汞离子吸附材料 [P].

赵龙 ;

许零 .

中国专利 :CN102933500A ,2013-02-13

[9]

一种硅藻土表面As（Ⅲ）离子印迹吸附材料的制备方法 [P].

杨勤桃 ;

解庆林 ;

陈南春 ;

代俊峰 ;

曾鸿鹄 ;

梁延鹏 .

中国专利 :CN110201649A ,2019-09-06

[10]

一种硅藻土表面As（Ⅴ）离子印迹吸附材料的制备方法 [P].

杨勤桃 ;

解庆林 ;

陈南春 ;

代俊峰 ;

曾鸿鹄 ;

梁延鹏 .

中国专利 :CN110201648A ,2019-09-06

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