一种压电MEMS超声波传感器及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811542027.8

申请日：

2018-12-17

公开(公告)号：

CN109502541A

公开(公告)日：

2019-03-22

发明(设计)人：

黄宏林王俊

申请人：

申请人地址：

214000 江苏省无锡市菱湖大道200号中国传感网国际创新园F6

IPC主分类号：

B81C100

IPC分类号：

B81B702 G01S7521

代理机构：

无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228

代理人：

聂启新

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B81C 1/00 申请日:20181217
2019-03-22	公开	公开

共 50 条

[1]

一种压电MEMS超声波传感器 [P].

张龙 ;

赵潇 ;

夏登明 ;

胡国俊 .

中国专利 :CN216925791U ,2022-07-08

[2]

一种压电MEMS超声波传感器 [P].

黄宏林 ;

王俊 .

中国专利 :CN209383383U ,2019-09-13

[3]

高性能的压电MEMS超声波传感器 [P].

张龙 ;

赵潇 ;

夏登明 ;

胡国俊 .

中国专利 :CN214471312U ,2021-10-22

[4]

超声波传感器及其制造方法 [P].

温成桥 .

中国专利 :CN104677400A ,2015-06-03

[5]

超声波传感器及超声波传感器的制造方法 [P].

侯美珍 ;

马炳乾 ;

骆剑锋 .

中国专利 :CN108400231A ,2018-08-14

[6]

压电陶瓷超声波传感器 [P].

何金 .

中国专利 :CN303306751S ,2015-07-29

[7]

压电陶瓷超声波传感器 [P].

骆军 .

中国专利 :CN301425165S ,2010-12-29

[8]

超声波传感器及其制造方法 [P].

金范锡 ;

朴廷珉 ;

朴殷台 .

中国专利 :CN103135112A ,2013-06-05

[9]

超声波传感器及其制造方法 [P].

矶元真弓 .

中国专利 :CN103843366B ,2014-06-04

[10]

超声波传感器及其制造方法 [P].

亨德里克·福斯特曼 ;

迈克尔·蒙克 .

中国专利 :CN103547918B ,2014-01-29

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