高性能的压电MEMS超声波传感器

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202120919217.8

申请日：

2021-04-29

公开(公告)号：

CN214471312U

公开(公告)日：

2021-10-22

发明(设计)人：

张龙赵潇夏登明胡国俊

申请人：

申请人地址：

214000 江苏省无锡市菱湖大道200号中国传感网国际创新园F6

IPC主分类号：

G01H1108

IPC分类号：

B81B700

代理机构：

无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228

代理人：

过顾佳;聂启新

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-22	授权	授权

共 50 条

[1]

一种压电MEMS超声波传感器 [P].

张龙 ;

赵潇 ;

夏登明 ;

胡国俊 .

中国专利 :CN216925791U ,2022-07-08

[2]

一种压电MEMS超声波传感器 [P].

黄宏林 ;

王俊 .

中国专利 :CN209383383U ,2019-09-13

[3]

高性能超声波传感器 [P].

崔彦锋 ;

王雪伟 ;

张佳怡 ;

林丽娟 ;

蔡振江 .

中国专利 :CN202938906U ,2013-05-15

[4]

一种压电MEMS超声波传感器及其制造方法 [P].

黄宏林 ;

王俊 .

中国专利 :CN109502541A ,2019-03-22

[5]

MEMS电容式超声波传感器及其制备方法 [P].

王小青 ;

宁瑾 ;

俞育德 ;

魏清泉 ;

刘文文 ;

刘元杰 ;

蒋莉娟 .

中国专利 :CN105540528A ,2016-05-04

[6]

一种高性能超声波传感器 [P].

陈正平 .

中国专利 :CN209014519U ,2019-06-21

[7]

压电陶瓷超声波传感器 [P].

何金 .

中国专利 :CN303306751S ,2015-07-29

[8]

压电陶瓷超声波传感器 [P].

骆军 .

中国专利 :CN301425165S ,2010-12-29

[9]

超声波传感器及超声波传感器的组装方法 [P].

顾一新 .

中国专利 :CN113514543A ,2021-10-19

[10]

超声波传感器 [P].

顾一新 .

中国专利 :CN215574827U ,2022-01-18

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