半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210277310.9

申请日：

2012-08-06

公开(公告)号：

CN103579296B

公开(公告)日：

2014-02-12

发明(设计)人：

鸟居克行

申请人：

申请人地址：

日本埼玉县

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29739 H01L21331

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

李辉;吴学锋

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-03-12	实质审查的生效	实质审查的生效专利申请号:2012102773109 申请日:20120806 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101578340896 IPC(主分类):H01L 29/06
2014-02-12	公开	公开
2016-09-07	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

岸本裕幸 ;

加藤浩朗 ;

西口俊史 ;

下村纱矢 ;

富田幸太 .

中国专利 :CN113053994A ,2021-06-29

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

小林仁 .

中国专利 :CN103000690A ,2013-03-27

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

鸟居克行 ;

杉山欣二 .

中国专利 :CN101842903A ,2010-09-22

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

鉾本吉孝 ;

西脇达也 ;

新井雅俊 .

中国专利 :CN105206607A ,2015-12-30

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

山本芳树 ;

槙山秀树 ;

岩松俊明 ;

角村贵昭 .

中国专利 :CN103579348B ,2014-02-12

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

浅原英敏 .

中国专利 :CN102694021A ,2012-09-26

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

林弘和 .

中国专利 :CN103295888A ,2013-09-11

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

岸本裕幸 ;

加藤浩朗 ;

西口俊史 ;

下村纱矢 ;

富田幸太 .

日本专利 :CN119545872A ,2025-02-28

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

三沢宽人 ;

奥村秀树 .

中国专利 :CN103165655A ,2013-06-19

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

岸本裕幸 ;

加藤浩朗 ;

西口俊史 ;

下村纱矢 ;

富田幸太 .

日本专利 :CN113053994B ,2025-03-11

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