半导体存储装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811587250.4

申请日：

2018-12-25

公开(公告)号：

CN110854124A

公开(公告)日：

2020-02-28

发明(设计)人：

吉水康人杉田智彦

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L2711582

IPC分类号：

H01L2711573

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

杨林勳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-03-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11582 申请日:20181225
2020-02-28	公开	公开
2022-02-08	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 27/11582 变更事项:申请人变更前:东芝存储器株式会社变更后:铠侠股份有限公司变更事项:地址变更前:日本东京变更后:日本东京

共 50 条

[1]

半导体存储装置及其制造方法 [P].

加藤竜也 ;

荒井史隆 ;

关根克行 ;

岩本敏幸 ;

渡边优太 ;

坂本渉 .

中国专利 :CN107533977B ,2018-01-02

[2]

半导体存储装置及其制造方法 [P].

猪熊英幹 ;

松浦修武 ;

藤田昌成 .

中国专利 :CN107180834B ,2017-09-19

[3]

半导体存储装置及其制造方法 [P].

加藤竜也 ;

荒井史隆 ;

关根克行 ;

岩本敏幸 ;

渡边优太 ;

坂本渉 ;

糸川宽志 .

中国专利 :CN107534046A ,2018-01-02

[4]

半导体存储装置及其制造方法 [P].

中木宽 .

中国专利 :CN114203709A ,2022-03-18

[5]

半导体存储装置及其制造方法 [P].

叶末俊介 .

中国专利 :CN114068561A ,2022-02-18

[6]

半导体存储装置及其制造方法 [P].

清水悟 .

中国专利 :CN1581491A ,2005-02-16

[7]

半导体存储装置及其制造方法 [P].

大贺淳 ;

原川秀明 ;

永岛贤史 ;

福田夏树 .

中国专利 :CN110875329A ,2020-03-10

[8]

半导体存储装置及其制造方法 [P].

藤塚良太 ;

山田健太 ;

山中孝纪 ;

冈田贵行 ;

石垣宽和 .

中国专利 :CN111725224A ,2020-09-29

[9]

半导体存储装置及其制造方法 [P].

竹下利章 .

中国专利 :CN101866926A ,2010-10-20

[10]

半导体存储装置及其制造方法 [P].

山崎博之 ;

田上政由 ;

岩崎太一 .

日本专利 :CN120712908A ,2025-09-26

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