半导体存储装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580077300.2

申请日：

2015-03-02

公开(公告)号：

CN107534046A

公开(公告)日：

2018-01-02

发明(设计)人：

加藤竜也荒井史隆关根克行岩本敏幸渡边优太坂本渉糸川宽志

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L2711524

IPC分类号：

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

杨林勋

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-01-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11524 申请日:20150302
2022-02-22	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 27/11524 登记生效日:20220209 变更事项:专利权人变更前权利人:东芝存储器株式会社变更后权利人:株式会社Pangea 变更事项:地址变更前权利人:日本东京变更后权利人:日本东京
2020-09-08	授权	授权
2018-01-02	公开	公开
2022-02-22	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 27/11524 变更事项:专利权人变更前:东芝存储器株式会社变更后:铠侠股份有限公司变更事项:地址变更前:日本东京变更后:日本东京
2022-02-22	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 27/11524 变更事项:专利权人变更前:株式会社Pangea 变更后:东芝存储器株式会社变更事项:地址变更前:日本东京变更后:日本东京

共 50 条

[1]

半导体存储装置及其制造方法 [P].

前川贵史 ;

中木宽 .

中国专利 :CN110047841A ,2019-07-23

[2]

半导体存储装置及其制造方法 [P].

前川贵史 ;

中木宽 .

中国专利 :CN106611745A ,2017-05-03

[3]

半导体存储装置及其制造方法 [P].

井口直 .

日本专利 :CN117693200A ,2024-03-12

[4]

半导体存储装置及其制造方法 [P].

荒井史隆 ;

加藤竜也 ;

永嶋贤史 ;

関根克行 ;

渡边优太 ;

菊谷圭介 ;

村越笃 .

中国专利 :CN107204337A ,2017-09-26

[5]

半导体存储装置及其制造方法 [P].

关根克行 ;

加藤竜也 ;

荒井史隆 ;

岩本敏幸 ;

渡边优太 ;

坂本渉 ;

糸川宽志 ;

金子明生 .

中国专利 :CN107548520B ,2018-01-05

[6]

半导体存储装置及其制造方法 [P].

小宫谦 .

中国专利 :CN113437078A ,2021-09-24

[7]

半导体存储装置及其制造方法 [P].

下城义朗 .

中国专利 :CN115000079A ,2022-09-02

[8]

半导体存储装置及其制造方法 [P].

松冈瞬 .

中国专利 :CN113410247A ,2021-09-17

[9]

半导体存储装置及其制造方法 [P].

松冈瞬 .

日本专利 :CN113410247B ,2024-02-09

[10]

半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法 [P].

铃木拓也 ;

小池聡 .

日本专利 :CN118678685A ,2024-09-20

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