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半导体存储装置及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201710017835.1
申请日：
2017-01-11
公开(公告)号：
CN107204337A
公开(公告)日：
2017-09-26
发明(设计)人：
荒井史隆
加藤竜也
永嶋贤史
関根克行
渡边优太
菊谷圭介
村越笃
申请人：
申请人地址：
日本东京
IPC主分类号：
H01L27115
IPC分类号：
代理机构：
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287
代理人：
杨林勋
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-02-09 | 授权 | 授权 |
| 2022-02-18 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利权的转移 IPC(主分类):H01L 27/11568 登记生效日:20220130 变更事项:专利权人 变更前权利人:东芝存储器株式会社 变更后权利人:株式会社PANGEA 变更事项:地址 变更前权利人:日本东京 变更后权利人:日本东京 |
| 2017-09-26 | 公开 | 公开 |
| 2022-02-18 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 27/11568 变更事项:专利权人 变更前:东芝存储器株式会社 变更后:铠侠股份有限公司 变更事项:地址 变更前:日本东京 变更后:日本东京 |
| 2022-02-18 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 27/11568 变更事项:专利权人 变更前:株式会社PANGEA 变更后:东芝存储器株式会社 变更事项:地址 变更前:日本东京 变更后:日本东京 |
| 2017-10-27 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/115 申请日:20170111 |