半导体存储装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911282806.3

申请日：

2015-01-07

公开(公告)号：

CN110943088A

公开(公告)日：

2020-03-31

发明(设计)人：

坂本涉铃木亮太冈本达也加藤龙也荒井史隆

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2711556

IPC分类号：

H01L29792 H01L21336

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

贺月娇;杨晓光

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-04-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11556 申请日:20150107
2020-03-31	公开	公开
2022-01-28	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 27/11556 变更事项:申请人变更前:日商潘杰亚股份有限公司变更后:东芝存储器株式会社变更事项:地址变更前:日本东京都变更后:日本东京都
2022-01-28	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 27/11556 登记生效日:20220117 变更事项:申请人变更前权利人:东芝存储器株式会社变更后权利人:日商潘杰亚股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本东京都
2022-01-28	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 27/11556 变更事项:申请人变更前:东芝存储器株式会社变更后:铠侠股份有限公司变更事项:地址变更前:日本东京都变更后:日本东京都

共 50 条

[1]

半导体存储装置及其制造方法 [P].

福住嘉晃 ;

荒井伸也 ;

辻大毅 ;

青地英明 ;

田中启安 .

中国专利 :CN108565267A ,2018-09-21

[2]

半导体存储装置及其制造方法 [P].

荒井史隆 ;

加藤竜也 ;

永嶋贤史 ;

関根克行 ;

渡边优太 ;

菊谷圭介 ;

村越笃 .

中国专利 :CN107204337A ,2017-09-26

[3]

半导体存储装置及其制造方法 [P].

坂本涉 ;

铃木亮太 ;

冈本达也 ;

加藤龙也 ;

荒井史隆 .

中国专利 :CN106165098A ,2016-11-23

[4]

半导体存储装置及其制造方法 [P].

坂本涉 ;

铃木亮太 ;

冈本达也 ;

加藤龙也 .

中国专利 :CN104779253A ,2015-07-15

[5]

半导体存储装置及其制造方法 [P].

木下繁 .

中国专利 :CN108630702A ,2018-10-09

[6]

半导体存储装置及其制造方法 [P].

福住嘉晃 ;

荒井伸也 ;

辻大毅 ;

青地英明 ;

田中启安 .

中国专利 :CN104835824B ,2015-08-12

[7]

半导体存储装置及其制造方法 [P].

加藤竜也 ;

荒井史隆 ;

关根克行 ;

岩本敏幸 ;

渡边优太 ;

坂本渉 ;

糸川宽志 .

中国专利 :CN107534046A ,2018-01-02

[8]

半导体存储装置及其制造方法 [P].

清水悟 .

中国专利 :CN1581491A ,2005-02-16

[9]

半导体存储装置及其制造方法 [P].

藤塚良太 ;

山田健太 ;

山中孝纪 ;

冈田贵行 ;

石垣宽和 .

中国专利 :CN111725224A ,2020-09-29

[10]

半导体存储装置及其制造方法 [P].

小川久 .

中国专利 :CN1812106A ,2006-08-02

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