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半导体存储装置及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010799599.5
申请日：
2020-08-11
公开(公告)号：
CN113410247A
公开(公告)日：
2021-09-17
发明(设计)人：
松冈瞬
申请人：
申请人地址：
日本东京
IPC主分类号：
H01L271157
IPC分类号：
H01L2711582
代理机构：
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287
代理人：
张世俊
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-09-17 | 公开 | 公开 |
| 2021-10-08 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/1157 申请日:20200811 |