一种电子束熔炼过程中提高挥发性杂质除杂量的方法及装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910304735.6

申请日：

2019-04-16

公开(公告)号：

CN109850905A

公开(公告)日：

2019-06-07

发明(设计)人：

姜大川王唯一李鹏廷石爽

申请人：

申请人地址：

116024 辽宁省大连市高新园区凌工路2号

IPC主分类号：

C01B33037

IPC分类号：

代理机构：

大连东方专利代理有限责任公司 21212

代理人：

唐楠;李洪福

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 33/037 申请日:20190416
2019-06-07	公开	公开
2020-11-06	授权	授权

共 50 条

[1]

电子束熔炼去除硅中挥发性杂质的装置 [P].

孙雨萱 ;

郭校亮 ;

张磊 ;

张思源 ;

肖承祥 .

中国专利 :CN209383398U ,2019-09-13

[2]

电子束熔炼去除硅中挥发性杂质的方法及装置 [P].

孙雨萱 ;

郭校亮 ;

张磊 ;

张思源 ;

肖承祥 .

中国专利 :CN109292778A ,2019-02-01

[3]

电子束熔炼高效去除硅中杂质磷的方法及装置 [P].

战丽姝 ;

谭毅 ;

董伟 ;

李国斌 .

中国专利 :CN101941698B ,2011-01-12

[4]

一种提高电子束熔炼多晶硅效率的方法及装置 [P].

唐子凡 ;

张磊 ;

庞大宇 ;

肖承祥 ;

张思源 .

中国专利 :CN109133067A ,2019-01-04

[5]

电子束熔炼液态硅除氧的方法及其装置 [P].

谭毅 ;

姜大川 ;

安广野 ;

郭校亮 ;

王登科 .

中国专利 :CN103738965A ,2014-04-23

[6]

一种电子束诱导定向凝固除杂的方法 [P].

谭毅 ;

姜大川 ;

石爽 ;

郭校亮 .

中国专利 :CN102786059A ,2012-11-21

[7]

一种多电子束的真空电子束熔炼炉 [P].

张爱栋 ;

李杨 ;

赵增群 .

中国专利 :CN216954023U ,2022-07-12

[8]

一种降低电子束熔炼多晶硅能耗的装置与方法 [P].

姜大川 ;

王登科 ;

石爽 ;

李鹏廷 ;

谭毅 .

中国专利 :CN104528734A ,2015-04-22

[9]

一种提高电子束熔炼多晶硅效率的装置 [P].

唐子凡 ;

张磊 ;

庞大宇 ;

肖承祥 ;

张思源 .

中国专利 :CN209161503U ,2019-07-26

[10]

多晶硅电子束熔炼过程中减少硅液飞溅的方法 [P].

王登科 ;

姜大川 ;

谭毅 .

中国专利 :CN103570024A ,2014-02-12

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