电子束熔炼去除硅中挥发性杂质的装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201821682499.9

申请日：

2018-10-17

公开(公告)号：

CN209383398U

公开(公告)日：

2019-09-13

发明(设计)人：

孙雨萱郭校亮张磊张思源肖承祥

申请人：

申请人地址：

266237 山东省青岛市即墨市青岛蓝色硅谷核心区创业中心一期-海创中心3号楼A座4-401

IPC主分类号：

C01B33037

IPC分类号：

代理机构：

青岛发思特专利商标代理有限公司 37212

代理人：

巩同海

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-09-13	授权	授权

共 50 条

[1]

电子束熔炼去除硅中挥发性杂质的方法及装置 [P].

孙雨萱 ;

郭校亮 ;

张磊 ;

张思源 ;

肖承祥 .

中国专利 :CN109292778A ,2019-02-01

[2]

电子束连续熔炼去除多晶硅中氧杂质的装置 [P].

王登科 ;

姜大川 ;

安广野 ;

郭校亮 ;

谭毅 .

中国专利 :CN203699921U ,2014-07-09

[3]

电子束熔炼高效去除多晶硅中杂质氧的装置 [P].

王登科 ;

郭校亮 ;

姜大川 ;

安广野 ;

谭毅 .

中国专利 :CN203699922U ,2014-07-09

[4]

电子束熔炼高效去除硅中杂质磷的方法及装置 [P].

战丽姝 ;

谭毅 ;

董伟 ;

李国斌 .

中国专利 :CN101941698B ,2011-01-12

[5]

流体中挥发性杂质去除简易装置 [P].

李珣珣 ;

周新基 ;

葛大伟 ;

朱建军 ;

陆铮铮 ;

仁大贤 ;

李文建 ;

赵鑫峰 ;

王金建 ;

朱德钧 .

中国专利 :CN110124357A ,2019-08-16

[6]

电子束熔炼高效去除多晶硅中杂质氧的方法及其装置 [P].

姜大川 ;

王登科 ;

郭校亮 ;

安广野 ;

谭毅 .

中国专利 :CN104649276B ,2015-05-27

[7]

电子束连续熔炼去除多晶硅中氧杂质的方法及其装置 [P].

王登科 ;

姜大川 ;

安广野 ;

郭校亮 ;

谭毅 .

中国专利 :CN104649274A ,2015-05-27

[8]

电子束去除硅中磷及金属杂质的工艺方法 [P].

邢馨月 ;

郭校亮 .

中国专利 :CN109019606A ,2018-12-18

[9]

一种电子束熔炼过程中提高挥发性杂质除杂量的方法及装置 [P].

姜大川 ;

王唯一 ;

李鹏廷 ;

石爽 .

中国专利 :CN109850905A ,2019-06-07

[10]

一种电子束熔炼去除多晶硅中杂质砷的方法 [P].

李鹏廷 ;

孟剑雄 ;

王峰 ;

姚玉杰 .

中国专利 :CN107055546A ,2017-08-18

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