电子束去除硅中磷及金属杂质的工艺方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810911290.3

申请日：

2018-08-10

公开(公告)号：

CN109019606A

公开(公告)日：

2018-12-18

发明(设计)人：

邢馨月郭校亮

申请人：

申请人地址：

266237 山东省青岛市即墨市青岛蓝色硅谷核心区创业中心一期-海创中心3号楼A座4-401

IPC主分类号：

C01B33037

IPC分类号：

代理机构：

青岛发思特专利商标代理有限公司 37212

代理人：

巩同海

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-01-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 33/037 申请日:20180810
2018-12-18	公开	公开
2021-06-25	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):C01B 33/037 申请公布日:20181218

共 50 条

[1]

电子束熔炼高效去除硅中杂质磷的方法及装置 [P].

战丽姝 ;

谭毅 ;

董伟 ;

李国斌 .

中国专利 :CN101941698B ,2011-01-12

[2]

电子束分次诱导凝固去除硅中金属杂质的方法 [P].

邵京 ;

石爽 ;

王凯 ;

任世强 .

中国专利 :CN109052406A ,2018-12-21

[3]

去除多晶硅中杂质磷和金属杂质的方法及装置 [P].

谭毅 ;

李国斌 ;

姜大川 ;

许富民 ;

王强 .

中国专利 :CN101289188B ,2008-10-22

[4]

电子束熔炼去除硅中挥发性杂质的方法及装置 [P].

孙雨萱 ;

郭校亮 ;

张磊 ;

张思源 ;

肖承祥 .

中国专利 :CN109292778A ,2019-02-01

[5]

一种电子束熔炼去除多晶硅中杂质砷的方法 [P].

李鹏廷 ;

孟剑雄 ;

王峰 ;

姚玉杰 .

中国专利 :CN107055546A ,2017-08-18

[6]

电子束熔炼去除硅中挥发性杂质的装置 [P].

孙雨萱 ;

郭校亮 ;

张磊 ;

张思源 ;

肖承祥 .

中国专利 :CN209383398U ,2019-09-13

[7]

电子束熔炼高效去除多晶硅中杂质氧的装置 [P].

王登科 ;

郭校亮 ;

姜大川 ;

安广野 ;

谭毅 .

中国专利 :CN203699922U ,2014-07-09

[8]

感应和电子束熔炼去除多晶硅中杂质磷和硼的方法及装置 [P].

战丽姝 ;

李国斌 ;

谭毅 ;

董伟 ;

姜大川 .

中国专利 :CN101787563A ,2010-07-28

[9]

电子束熔炼高效去除多晶硅中杂质氧的方法及其装置 [P].

姜大川 ;

王登科 ;

郭校亮 ;

安广野 ;

谭毅 .

中国专利 :CN104649276B ,2015-05-27

[10]

采用电子束注入去除多晶硅中杂质硼的方法 [P].

谭毅 ;

姜大川 ;

邹瑞洵 ;

董伟 .

中国专利 :CN101891202A ,2010-11-24

← 1 2 3 4 5 →