功率MOSFET器件雪崩能量测试仪

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专利类型
发明
申请号
CN200910219513.0
申请日
2009-12-16
公开(公告)号
CN101750539B
公开(公告)日
2010-06-23
发明(设计)人
李志强
申请人
申请人地址
710077 陕西省西安市高新区锦业路69号创业研发园C区1号瞪羚谷E栋六层605
IPC主分类号
G01R2200
IPC分类号
G01R3126
代理机构
西安弘理专利事务所 61214
代理人
罗笛
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
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