一种功率MOSFET器件雪崩耐量的测试装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910142379.2

申请日：

2019-02-26

公开(公告)号：

CN109884492A

公开(公告)日：

2019-06-14

发明(设计)人：

徐晓筱胡兴懿程泽乾吴建德何湘宁

申请人：

申请人地址：

310013 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

IPC主分类号：

G01R3126

IPC分类号：

代理机构：

杭州天勤知识产权代理有限公司 33224

代理人：

王琛

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-28	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G01R 31/26 申请公布日:20190614
2019-06-14	公开	公开
2019-07-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 31/26 申请日:20190226

共 50 条

[1]

功率MOSFET器件的雪崩耐量测试电路和方法 [P].

殷资 ;

张邵华 .

中国专利 :CN102419413B ,2012-04-18

[2]

基于衰减振荡波的功率MOSFET器件导通电阻和输出电容的测试装置 [P].

徐晓筱 ;

程泽乾 ;

胡兴懿 ;

吴建德 ;

何湘宁 .

中国专利 :CN109917192A ,2019-06-21

[3]

功率MOSFET器件雪崩能量测试仪 [P].

李志强 .

中国专利 :CN101750539B ,2010-06-23

[4]

功率器件雪崩耐量测试系统 [P].

依志强 ;

李强 .

中国专利 :CN212159991U ,2020-12-15

[5]

IGBT功率器件的雪崩耐量的测试方法及其测试装置 [P].

张娜娜 ;

邓钦球 .

中国专利 :CN110988642A ,2020-04-10

[6]

功率器件雪崩耐量测试系统及测试方法 [P].

依志强 ;

李强 .

中国专利 :CN111381144B ,2024-08-23

[7]

功率器件雪崩耐量测试系统及测试方法 [P].

依志强 ;

李强 .

中国专利 :CN111381144A ,2020-07-07

[8]

功率器件的测试装置 [P].

陈健纯 ;

赖月凤 .

中国专利 :CN221100863U ,2024-06-07

[9]

一种功率MOSFET器件串联电阻的测试电路 [P].

温景超 ;

王立新 ;

周虹珊 .

中国专利 :CN103293383A ,2013-09-11

[10]

功率器件的测试装置 [P].

张嫚嫚 ;

陈健纯 ;

纪泽轩 .

中国专利 :CN117434412A ,2024-01-23

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