半导体器件的制作方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201110449326.9
申请日
2011-12-29
公开(公告)号
CN103187352A
公开(公告)日
2013-07-03
发明(设计)人
吕淑瑞 栾广庆
申请人
申请人地址
214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
IPC主分类号
H01L21762
IPC分类号
代理机构
北京市磐华律师事务所 11336
代理人
顾珊;汪洋
法律状态
发明专利申请公布后的驳回
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
刘俊文 ;
任小兵 ;
张花威 .
中国专利 :CN104835737A ,2015-08-12
[2]
半导体器件的制作方法 [P]. 
梁海慧 ;
刘佳磊 .
中国专利 :CN105336690A ,2016-02-17
[3]
半导体器件的制作方法 [P]. 
鲍宇 ;
邓浩 ;
张彬 ;
平延磊 .
中国专利 :CN102956557A ,2013-03-06
[4]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
平延磊 ;
李剑波 .
中国专利 :CN104851777A ,2015-08-19
[5]
半导体器件的制作方法 [P]. 
甘正浩 .
中国专利 :CN102737995A ,2012-10-17
[6]
半导体器件的制作方法 [P]. 
周鸣 .
中国专利 :CN103165515A ,2013-06-19
[7]
半导体器件的制作方法 [P]. 
邹立 ;
罗飞 .
中国专利 :CN102024754A ,2011-04-20
[8]
半导体器件的制作方法 [P]. 
洪中山 .
中国专利 :CN101295623A ,2008-10-29
[9]
半导体器件的制作方法 [P]. 
刘兵武 .
中国专利 :CN101996949B ,2011-03-30
[10]
半导体器件的制作方法及其制作的半导体器件 [P]. 
托马斯·P·瑞美尔 ;
斯瑞拉姆·卡尔帕特 ;
梅尔维·F·米勒尔 ;
彼德·朱彻尔 .
中国专利 :CN1930685A ,2007-03-14