半导体器件的制作方法

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专利类型
发明
申请号
CN200910195841.1
申请日
2009-09-17
公开(公告)号
CN102024754A
公开(公告)日
2011-04-20
发明(设计)人
邹立 罗飞
申请人
申请人地址
201203 上海市张江路18号
IPC主分类号
H01L2182
IPC分类号
H01L27146
代理机构
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人
屈蘅;李时云
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件的制作方法 [P]. 
何有丰 .
中国专利 :CN104465378B ,2015-03-25
[2]
半导体器件的制作方法 [P]. 
吕淑瑞 ;
栾广庆 .
中国专利 :CN103187352A ,2013-07-03
[3]
半导体器件的制作方法及其制作的半导体器件 [P]. 
托马斯·P·瑞美尔 ;
斯瑞拉姆·卡尔帕特 ;
梅尔维·F·米勒尔 ;
彼德·朱彻尔 .
中国专利 :CN1930685A ,2007-03-14
[4]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
毛智彪 ;
胡友存 .
中国专利 :CN102969271A ,2013-03-13
[5]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
缪海生 ;
张建栋 ;
冯冰 .
中国专利 :CN113889572A ,2022-01-04
[6]
半导体器件的制作方法与半导体器件 [P]. 
蔡宗叡 .
中国专利 :CN111211122B ,2024-05-21
[7]
半导体器件和半导体器件的制作方法 [P]. 
宋化龙 .
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半导体器件的制作方法及半导体器件 [P]. 
赵猛 .
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[9]
半导体器件的制作方法与半导体器件 [P]. 
蔡宗叡 .
中国专利 :CN111211121B ,2024-09-06
[10]
半导体器件的制作方法与半导体器件 [P]. 
蔡宗叡 .
中国专利 :CN111211121A ,2020-05-29