一种多重图形化掩膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510608977.6

申请日：

2015-09-22

公开(公告)号：

CN105304475A

公开(公告)日：

2016-02-03

发明(设计)人：

鲍宇周海锋方精训

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

IPC主分类号：

H01L21033

IPC分类号：

代理机构：

上海申新律师事务所 31272

代理人：

俞涤炯

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-12	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/033 申请公布日:20160203
2016-04-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101655958260 IPC(主分类):H01L 21/033 专利申请号:2015106089776 申请日:20150922
2016-02-03	公开	公开

共 50 条

[1]

多重图形化掩膜的制备方法 [P].

鲍宇 ;

周海锋 .

中国专利 :CN106783557B ,2017-05-31

[2]

一种多重图形化掩膜层的形成方法 [P].

鲍宇 ;

李润领 ;

方精训 .

中国专利 :CN105304474A ,2016-02-03

[3]

改进多重图形化掩膜层的方法 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN105206512A ,2015-12-30

[4]

多重图形化方法 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN106057657A ,2016-10-26

[5]

多重图形化的掩膜层及其形成方法 [P].

洪中山 ;

吴汉明 .

中国专利 :CN103578931A ,2014-02-12

[6]

自对准多重图形化的掩膜层及其形成方法 [P].

吴汉明 ;

洪中山 .

中国专利 :CN103515197A ,2014-01-15

[7]

一种多重图形化掩膜层的结构及制作方法 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN105244259A ,2016-01-13

[8]

多重图形化的掩膜层的形成方法、半导体结构 [P].

洪中山 ;

吴汉明 .

中国专利 :CN103578930B ,2014-02-12

[9]

掩膜版及三重图形化的方法 [P].

吴维维 ;

王兴荣 ;

陆思远 .

中国专利 :CN113130303A ,2021-07-16

[10]

双重图形化膜层的方法 [P].

孟晓莹 ;

何其旸 ;

韩秋华 ;

张海洋 .

中国专利 :CN103681281A ,2014-03-26

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