电压产生电路以及半导体装置

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专利类型
发明
申请号
CN202010459265.3
申请日
2020-05-27
公开(公告)号
CN112053728A
公开(公告)日
2020-12-08
发明(设计)人
中谷真史
申请人
申请人地址
中国台湾台中市
IPC主分类号
G11C1630
IPC分类号
G11C1604
代理机构
北京三友知识产权代理有限公司 11127
代理人
王涛;汤在彦
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
基准电压产生电路以及半导体装置 [P]. 
谷川博之 .
中国专利 :CN111752324B ,2020-10-09
[2]
电压产生电路以及使用该电压产生电路的半导体装置 [P]. 
村上洋树 .
中国专利 :CN112825005B ,2021-05-21
[3]
半导体存储装置以及电压产生电路 [P]. 
村上洋树 .
中国专利 :CN110097911B ,2019-08-06
[4]
基准电压产生电路、电源开启检测电路以及半导体装置 [P]. 
村上洋树 .
中国专利 :CN111538363B ,2020-08-14
[5]
电压生成电路以及半导体装置 [P]. 
大岩广司 .
中国专利 :CN115113672A ,2022-09-27
[6]
基准电压产生电路以及半导体集成电路 [P]. 
饭田裕太 ;
小宫健吾 .
日本专利 :CN118575409A ,2024-08-30
[7]
基准电压电路以及半导体装置 [P]. 
坂口薰 .
中国专利 :CN110134175B ,2019-08-16
[8]
基准电压生成电路以及半导体装置 [P]. 
张艳争 .
中国专利 :CN106575131A ,2017-04-19
[9]
基准电压电路以及半导体装置 [P]. 
坂口薰 .
中国专利 :CN111552344A ,2020-08-18
[10]
调节器电压检测电路以及半导体装置 [P]. 
藤野隆良 .
日本专利 :CN118688496A ,2024-09-24