电压生成电路以及半导体装置

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申请号
CN202110967504.0
申请日
2021-08-23
公开(公告)号
CN115113672A
公开(公告)日
2022-09-27
发明(设计)人
大岩广司
申请人
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
G05F156
IPC分类号
代理机构
永新专利商标代理有限公司 72002
代理人
徐殿军
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
基准电压生成电路以及半导体装置 [P]. 
张艳争 .
中国专利 :CN106575131A ,2017-04-19
[2]
电压产生电路以及半导体装置 [P]. 
中谷真史 .
中国专利 :CN112053728A ,2020-12-08
[3]
半导体电路、半导体装置以及电位供给电路 [P]. 
岩佐洋助 .
中国专利 :CN104954007B ,2015-09-30
[4]
基准电压电路以及半导体装置 [P]. 
坂口薰 .
中国专利 :CN111552344A ,2020-08-18
[5]
电压检测电路、半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P]. 
金泽雄亮 .
中国专利 :CN110850312A ,2020-02-28
[6]
电压生成电路以及半导体存储装置 [P]. 
佐藤贵彦 .
中国专利 :CN117935869A ,2024-04-26
[7]
半导体装置及基准电压生成电路 [P]. 
吉野英生 .
中国专利 :CN102683393A ,2012-09-19
[8]
具备电压生成电路的半导体装置 [P]. 
木下拓 ;
吉村晋亮 ;
铃木彰 ;
大泉晶 ;
小林聪一 .
中国专利 :CN102645947A ,2012-08-22
[9]
半导体装置以及电压生成方法 [P]. 
大森铁男 .
中国专利 :CN115145348A ,2022-10-04
[10]
用于驱动内部电压的电压生成电路和半导体装置 [P]. 
金善弘 ;
金京兑 .
韩国专利 :CN119960539A ,2025-05-09