半导体装置以及电压生成方法

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申请号
CN202210268685.2
申请日
2022-03-18
公开(公告)号
CN115145348A
公开(公告)日
2022-10-04
发明(设计)人
大森铁男
申请人
申请人地址
日本神奈川县
IPC主分类号
G05F1577
IPC分类号
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
宋魏魏
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
基准电压生成电路以及半导体装置 [P]. 
张艳争 .
中国专利 :CN106575131A ,2017-04-19
[2]
电压生成电路、半导体存储装置、以及电压生成方法 [P]. 
赤堀旭 .
中国专利 :CN110600063A ,2019-12-20
[3]
半导体装置以及电压控制方法 [P]. 
西野理市 ;
森阳太郎 .
中国专利 :CN115516401A ,2022-12-23
[4]
电压生成电路以及半导体装置 [P]. 
大岩广司 .
中国专利 :CN115113672A ,2022-09-27
[5]
时钟生成方法以及半导体装置 [P]. 
羽深贵光 .
中国专利 :CN104954015A ,2015-09-30
[6]
半导体装置及基准电压生成电路 [P]. 
吉野英生 .
中国专利 :CN102683393A ,2012-09-19
[7]
半导体装置的形成方法以及半导体装置 [P]. 
张尚文 ;
邱奕勋 ;
庄正吉 ;
蔡庆威 ;
林威呈 ;
彭士玮 ;
曾健庭 .
中国专利 :CN113206037A ,2021-08-03
[8]
基准电压电路以及半导体装置 [P]. 
坂口薰 .
中国专利 :CN110134175B ,2019-08-16
[9]
基准电压电路以及半导体装置 [P]. 
坂口薰 .
中国专利 :CN111552344A ,2020-08-18
[10]
生成温度补偿用电压的半导体装置 [P]. 
伊藤孝 ;
桐木成章 ;
山内忠昭 ;
小野峰和 ;
长泽勉 ;
久下英比古 .
中国专利 :CN101276228A ,2008-10-01