电压生成电路、半导体存储装置、以及电压生成方法

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专利类型
发明
申请号
CN201910504534.0
申请日
2019-06-12
公开(公告)号
CN110600063A
公开(公告)日
2019-12-20
发明(设计)人
赤堀旭
申请人
申请人地址
日本神奈川县横滨市港北区新横滨2-4-8(邮编:222-8575)
IPC主分类号
G11C514
IPC分类号
代理机构
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205
代理人
张晓霞;臧建明
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
电压生成电路以及半导体存储装置 [P]. 
佐藤贵彦 .
中国专利 :CN117935869A ,2024-04-26
[2]
半导体装置以及电压生成方法 [P]. 
大森铁男 .
中国专利 :CN115145348A ,2022-10-04
[3]
基准电压生成电路以及半导体装置 [P]. 
张艳争 .
中国专利 :CN106575131A ,2017-04-19
[4]
电压生成电路以及半导体装置 [P]. 
大岩广司 .
中国专利 :CN115113672A ,2022-09-27
[5]
电压生成电路、半导体存储装置及其位线充电方法 [P]. 
冈部翔 .
中国专利 :CN112102869A ,2020-12-18
[6]
半导体存储装置以及电压产生电路 [P]. 
村上洋树 .
中国专利 :CN110097911B ,2019-08-06
[7]
电压供给电路以及半导体存储装置 [P]. 
小川绚也 .
中国专利 :CN107545913A ,2018-01-05
[8]
电压产生电路及半导体存储装置 [P]. 
武者淳二 .
中国专利 :CN106531221A ,2017-03-22
[9]
内部电源电压产生电路、半导体存储装置及半导体装置 [P]. 
小川晓 .
中国专利 :CN106205716A ,2016-12-07
[10]
内部电压生成电路以及包括内部电压生成电路的半导体设备 [P]. 
权赞根 .
韩国专利 :CN114758684B ,2025-09-05