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电压生成电路、半导体存储装置、以及电压生成方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201910504534.0
申请日
:
2019-06-12
公开(公告)号
:
CN110600063A
公开(公告)日
:
2019-12-20
发明(设计)人
:
赤堀旭
申请人
:
申请人地址
:
日本神奈川县横滨市港北区新横滨2-4-8(邮编:222-8575)
IPC主分类号
:
G11C514
IPC分类号
:
代理机构
:
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205
代理人
:
张晓霞;臧建明
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-12-20
公开
公开
2020-10-27
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 5/14 申请日:20190612
共 50 条
[1]
电压生成电路以及半导体存储装置
[P].
佐藤贵彦
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
华邦电子股份有限公司
华邦电子股份有限公司
佐藤贵彦
.
中国专利
:CN117935869A
,2024-04-26
[2]
半导体装置以及电压生成方法
[P].
大森铁男
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
大森铁男
.
中国专利
:CN115145348A
,2022-10-04
[3]
基准电压生成电路以及半导体装置
[P].
张艳争
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
张艳争
.
中国专利
:CN106575131A
,2017-04-19
[4]
电压生成电路以及半导体装置
[P].
大岩广司
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
大岩广司
.
中国专利
:CN115113672A
,2022-09-27
[5]
电压生成电路、半导体存储装置及其位线充电方法
[P].
冈部翔
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
冈部翔
.
中国专利
:CN112102869A
,2020-12-18
[6]
半导体存储装置以及电压产生电路
[P].
村上洋树
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
村上洋树
.
中国专利
:CN110097911B
,2019-08-06
[7]
电压供给电路以及半导体存储装置
[P].
小川绚也
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
小川绚也
.
中国专利
:CN107545913A
,2018-01-05
[8]
电压产生电路及半导体存储装置
[P].
武者淳二
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
武者淳二
.
中国专利
:CN106531221A
,2017-03-22
[9]
内部电源电压产生电路、半导体存储装置及半导体装置
[P].
小川晓
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
小川晓
.
中国专利
:CN106205716A
,2016-12-07
[10]
内部电压生成电路以及包括内部电压生成电路的半导体设备
[P].
权赞根
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
权赞根
.
韩国专利
:CN114758684B
,2025-09-05
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