半导体激光器装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN98104289.9
申请日
1998-01-22
公开(公告)号
CN1190809A
公开(公告)日
1998-08-19
发明(设计)人
伊集院诚司 平田照二 小笠原敦
申请人
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
H01S300
IPC分类号
代理机构
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人
杜日新
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体激光器 [P]. 
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[2]
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[3]
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[9]
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